上一章针对与Si-MOSFET的区别，介绍了关于SiC-MOSFET驱动方法的两个关键要点。本章将针对与IGBT的区别进
2018-12-03 14:29
封装内的二极管与特定应用匹配，极佳的软恢复二极管可与更高速的SMPS器件相配合。后语：MOSFE和IGBT是没有本质区别的，人们常问的“是MOSFET好还是IGBT好”
2018-08-27 20:50
本质区别的，人们常问的“是MOSFET好还是IGBT好”这个问题本身就是错误的。至于我们为何有时用MOSFET，有时又不用MOS
2017-04-15 15:48
MOSFET和IGBT内部结构不同,决定了其应用领域的不同. 1,由于MOSFET的结构,通常它可以做到电流很大,可以到上KA,但是前提耐压能力没有IGBT强,IXY
2025-03-25 13:43
MOSFET和IGBT内部结构不同,于是也决定了其应用领域的不同，今天就让小编带大家一起来了解一下MOSFET与IGBT的本质区
2021-06-16 09:21
的软恢复二极管可与更高速的SMPS器件相配合。后语：MOSFE和IGBT是没有本质区别的，人们常问的“是MOSFET好还是IGBT好”这个问题本身就是错误的。至于我们为
2019-03-06 06:30
功率二极管、晶闸管、mosfet、IGBT和功率IC的区别和应用
2019-10-24 09:19
可能是个缺点。相反，由于IGBT组合封装内的二极管与特定应用匹配，极佳的软恢复二极管可与更高速的SMPS器件相配合。 后语 MOSFE和IGBT是没有本质区别的，人们常问的“是
2020-06-28 15:16
目录 IGBT和MOS管的区别：IGBT和可控硅的区别：IGBT驱动电路设计：1、
2021-09-09 08:05
最小值。一般的IGBT和Si-MOSFET的驱动电压为Vgs=10～15V，而SiC-MOSFET建议在Vgs=18V前后驱动，以充分获得低导通电阻。也就是说，两者的区别
2018-11-30 11:34
