。2传导损耗需谨慎在比较额定值为600V的器件时，IGBT的传导损耗一般比相同芯片大小的600 V MOSFET少。这种比较应该是在集电极和漏极电流密度可明显感测，并在
2018-08-27 20:50
来解决选择IGBT还是MOSFET的问题，但针对特定SMPS应用中的IGBT 和 MOSFET进行性能比较，确定关键参数
2025-03-25 13:43
开关管和整流器。虽然没有万全的方案来解决选择IGBT还是MOSFET的问题，但针对特定SMPS应用中的IGBT 和 MOSFET进行性能
2017-04-15 15:48
IGBT、SJ MOSFET、Hybrid MOS的特征比较图。如V-I特性所示，Hybrid MOS在低电流范围具有与SJ MOSFET基本相同的良好特性。在大电流范
2018-11-28 14:25
IGBT MOSFET建模(电源4572)-该文档为利用Simplorer IGBT MOSFET建模仿真，simplorer为最近几年新出的仿真软件，模型具有
2021-07-26 13:35
上一章针对与Si-MOSFET的区别，介绍了关于SiC-MOSFET驱动方法的两个关键要点。本章将针对与IGBT的区别进行介绍。与IGBT的区别：Vd-Id特性Vd-I
2018-12-03 14:29
针对特定SMPS应用中的IGBT 和 MOSFET进行性能比较，确定关键参数的范围还是能起到一定的参考作用。本文将对一些参数进行探讨，如硬开关和软开关ZVS(零电压转换) 拓扑中的开关损耗，并对电路
2021-06-16 09:21
的问题，但针对特定SMPS应用中的IGBT 和 MOSFET进行性能比较，确定关键参数的范围还是能起到一定的参考作用。本文将对一些参数进行探讨，如硬开关和软开关ZVS （零电压转换） 拓扑中的开关损耗，并对电路和器件
2020-04-14 08:00
需谨慎在比较额定值为600V的器件时，IGBT的传导损耗一般比相同芯片大小的600 V MOSFET少。这种比较应该是在集电极和漏极电流密度可明显感测，并在指明最差情况
2019-03-06 06:30
