Si-MOSFET高。与Si-MOSFET进行替换时，还需要探讨栅极驱动器电路。与Si-MOSFET的区别：内部栅极电阻SiC-
2018-11-30 11:34
功率二极管、晶闸管、mosfet、IGBT和功率IC的区别和应用
2019-10-24 09:19
猎芯网近期表示，芯片供应商生产成本明显上升，不少成本敏感的芯片报价已经开始往上涨，其中，2020年第3季就一再喊涨的LCD驱动IC及MOSFET
2020-10-15 16:30
上一章针对与Si-MOSFET的区别，介绍了关于SiC-MOSFET驱动方法的两个关键要点。本章将针对与IGBT的区别进行介绍。与IGBT的
2018-12-03 14:29
感觉模拟IC设计就应该是设计模拟电路.设计运放等，通过设计电路、在硅片上搭建TTL.CMOS......从而做成IC芯片；而我经常看到说IC设计就是使用VHDL语言设计
2018-08-29 09:45
本文将从设计角度首先对在设计中使用的电源IC进行介绍。如“前言”中所述，本文中会涉及“准谐振转换器”的设计和功率晶体管使用“SiC-MOSFET”这两个新课题。因此，设计中所使用的电源IC，是可将
2018-11-27 16:54
1. MOSFET、MESFET、MODFET有何区别？MOSFET是MOS(金属-氧化物-半导体) 做栅极MODFET/MESFET 是用金属-半导体接触(肖特基二极管)，用二极管做栅极，速度比
2022-01-25 06:48
。2传导损耗需谨慎在比较额定值为600V的器件时，IGBT的传导损耗一般比相同芯片大小的600 V MOSFET少。这种比较应该是在集电极和漏极电流密度可明显感测，并在指明最差情况下的工作结温下进行
2018-08-27 20:50
MOSFET和IGBT内部结构不同,于是也决定了其应用领域的不同，今天就让小编带大家一起来了解一下MOSFET与IGBT的本质区别吧~1、由于MOSFET的结构，通常它
2021-06-16 09:21
使用dsPIC DSC器件的汽车前照灯HID镇流器。设计中有五个驱动信号，一个是反激MOSFET驱动信号，另外四个是全桥逆变器MOSFET。 MCP1407 IC用于驱动反激M
2019-09-29 10:10
