可低至 0.03 美元。该器件不仅可处理 700V VCE，而且无需过大的基流便可驱动几百毫安的电流。使用 BJT，增益和功率耗散可能会将实际使用限制在低功耗应用中。在这些低功耗标准下，
2018-09-18 11:32
开关管MOSFET的功耗分析MOSFET的损耗优化方法及其利弊关系
2020-12-23 06:51
如何更加深入理解MOSFET开关损耗？Coss产生开关损耗与对开关过程有什么影响？
2021-04-07 06:01
嗨：是否可以在EMpro仿真中对BJT / MOSFET等器件进行建模？我在想是否可以将其建模为EMpro中的电流/电压源。这是一个正确的假设吗？谢谢 以上来自于谷歌翻译 以下为原文Hi
2018-11-29 10:39
小弟我最近做1Mhz正弦波D类放大，三角波10Mhz，mosfet发烫严重，分析后是Qg过大（2.5nc），驱动损耗理论值达到500mW。导师建议我用三极管做，我没用过三极管，请问有大佬知道有开关频率可以达到20Mh
2018-04-23 11:39
在通孔板上建立电路数小时后，我发现使用P-MOSFET时Vgs并不容易。经过搜索，我发现我需要使用N-MOSFET或BJT（NPN）将源极电压带到栅极，以便关断MOSFET
2018-08-23 10:30
MOSFET较小的栅极电阻可以减少开通损耗吗？栅极电阻的值会在开通过程中影响与漏极相连的二极管吗？
2023-05-16 14:33
求一款低边MOSFET驱动,输入电压12V,电流1A以上，且一颗芯片驱动两个MOSFET?
2020-03-18 09:31
在开启时提供此功能。实验验证表明，在高负载范围和低开关速度（《5V/ns）下，SiC-MOSFET或IGBT的电流源驱动与传统方法相比，导通损耗降低了26%。在电机
2023-02-21 16:36
请问：驱动功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考虑哪些因素？
2019-07-31 10:13
