）是使用BJT而非MOSFET的两大理由。 在低功耗（3W 及以下）反激式电源中，很难在成本上击败 BJT。大批量购买时，一个 13003 NPN 晶体管价格可低至 0
2018-10-08 15:42
引用:IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极性三极管)和MOSFET(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率
2023-02-10 15:33
过程中的开关损耗。开关损耗内容将分成二次分别讲述开通过程和开通损耗，以及关断过程和和关断损耗。功率MOSFET及
2017-02-24 15:05
大于B管，因此选取的MOSFET开关损耗占较大比例时，需要优先考虑米勒电容Crss的值。整体开关损耗为开通及关断的开关损耗之和：从上面的分析可以得到以下结论：（1）减小
2017-03-06 15:19
可低至 0.03 美元。该器件不仅可处理 700V VCE，而且无需过大的基流便可驱动几百毫安的电流。使用 BJT，增益和功率耗散可能会将实际使用限制在低功耗应用中。在这些低功耗标准下，
2018-09-18 11:32
本文详细分析计算开关损耗，并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的过程，从而使电子工程师知道哪个参数起主导作用并更加深入理解MOSFET。 MOSFET
2025-02-26 14:41
（大于 1kV）是使用 BJT 而非 MOSFET 的两大理由。在低功耗（3W 及以下）反激式电源中，很难在成本上击败 BJT。大批量购买时，一个 13003 NPN 晶体管价格可
2022-11-23 08:08
阻进一步减少，MOSFET进入完全导通状态;此时损耗转化为导通损耗。三、MOSFET的损耗优化方法及其利弊关系从
2019-09-25 07:00
，有更细腻的考虑因素，以下将简单介绍 Power MOSFET 的参数在应用上更值得注意的几项重点。 1 功率损耗及安全工作区域(Safe Operating Area, SOA) 对 Power
2025-03-24 15:03
`罗姆低门驱动电压MOSFET具有0.9伏至10伏的宽驱动类型。 这种广泛的驱动器类型范围支持从小信号到高功率的各种应用
2021-02-02 09:55
