业界不断开发出一系列的先进工艺技术，例如多晶硅栅、源漏离子注入自对准、LDD离子注入、polycide、Salicide、SRD、应变硅和HKMG技术。另外，晶体管也从MOSFET演变为FD-SOI
2018-11-06 13:41
日益增长的电力需求。在这篇文章中，我将探讨如何实现。 为何选择GaN？当涉及功率密度时，GaN为硅MOSFET提供了几个主要优点和优势，包括：•较低的RDS（on）：如表1所示…
2022-11-14 07:01
，包括综合、约束、布局布线、下载编程等。智多晶的芯片使用自主研发的FPGA开发软件“HqFpga”, 完成综合、布局布线、时序分析、配置编程和片内逻辑分析。智多晶的Seal 5000系列FPGA芯片，在
2020-06-03 09:32
部分的体电阻小。然后上面为为N-的epi层，上面有两个连续的扩散区P-，沟道在P-区形成。在P-区内部，扩散形成的N+为源极。硅片表面形成栅极氧化物，多晶硅栅极材料沉积后，在连接到栅极的多晶硅层下面
2016-10-10 10:58
厂用电设备：发电厂单晶硅、多晶硅（使用广泛）、薄膜光伏电池；光伏离网逆变器与光伏并网逆变器。光伏器件转换效率和成本。
2019-05-23 06:42
在高科技的多晶硅价值链中，位于德国的安奕极能源系统公司多年来一直是领先的卓越高电流供电服务供应商。安奕极的经验横贯整个价值链，从用于多晶硅沉淀程序的CVD反应器供电开始，到晶体形成的电力供应，晶片
2021-11-16 06:57
MOSFET教程
2020-05-24 09:22
电机驱动设计中MOSFET驱动器与MOSFET的匹配设计相关文章资料，大家可以看看，对大家很有帮助！
2021-03-29 16:18
和更快的切换速度与传统的硅mosfet和绝缘栅双极晶体管(igbt)相比，SiC mosfet栅极驱动在设计过程中必须仔细考虑需求。本应用程序说明涵盖为SiC mosfet
2023-06-16 06:04
本帖最后由 xuehumaiya 于 2016-7-15 10:29 编辑 N沟道MOSFET PowerTrench®[N-Channel PowerTrench® MOSFET]常用管...................
2013-03-01 08:23
