低温多晶硅制程是利用准分子雷射作为热源，雷射光经过投射系统後，会产生能量均匀分布的雷射光束，投射于非晶矽结构的玻璃基板上，当非晶矽结构玻璃基板吸收准分子雷射的能量后，会转变成为多晶硅结构，因整个处理过程都是在600℃以下完成，所以一般玻璃基板皆可适用。
2019-09-18 09:11
18914951168求购废硅片、碎硅片、废晶圆、IC蓝膜片、头尾料 大量收购单晶硅~多晶硅各种废硅片，头尾料，边皮料，IC碎硅片，...
2010-10-31 14:00
。 器件的栅电极是具有一定电阻率的多晶硅材料，这也是硅栅MOS器件的命名根据。在多晶硅栅与衬底之间是一层很薄的优质二氧化硅，它是绝缘介质，用于绝缘两个导电层：多晶硅栅和硅
2012-12-10 21:37
。 器件的栅电极是具有一定电阻率的多晶硅材料，这也是硅栅MOS器件的命名根据。在多晶硅栅与衬底之间是一层很薄的优质二氧化硅，它是绝缘介质，用于绝缘两个导电层：多晶硅栅和硅
2012-01-06 22:55
为什么多晶硅栅上还要再摞一层钨？不用不行吗？ 求大虾指点
2012-01-12 17:22
业界不断开发出一系列的先进工艺技术，例如多晶硅栅、源漏离子注入自对准、LDD离子注入、polycide、Salicide、SRD、应变硅和HKMG技术。另外，晶体管也从MOSFET演变为FD-SOI
2018-11-06 13:41
%），接着是将这些纯硅制成长硅晶棒，成为制造积体电路的石英半导体的材料，经过照相制版，研磨，抛光，切片等程序，将多晶硅融解拉出单晶硅晶棒，然后切割成一片一片薄薄的晶圆。
2011-12-02 14:30
加工工艺成熟，与IC工艺兼容性好，可以在单个直径为几十毫米的单晶硅基片上批量生成数百个MEMS装置。美国加州大学Berkeley分校的传感器与执行器研究中心（BSAC）首先完成了三层多晶硅表面MEMS
2018-11-05 15:42
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2010-10-31 14:01
测试电路(c) Crss测试电路(d) 标准的LCR图2：寄生电容测试电路功率MOSFET栅极的多晶硅和源极通道区域的电容决定了这些参数，其不具有偏向的敏感度，也非常容易重现。沟槽型功率MOSFET
2016-12-23 14:34
