，因此，下管的寄生二极管在死区时间内具有导通损耗，同时具有二级管的反向恢复损耗。 功率MOSFET的寄生参数模型如图1所示，其中，G、D、S分别为封装好的器件外部的栅极、漏极和源极，G1、S1分别为内部
2020-12-08 15:35
使用DLPC3478+DLPA3005驱动DLPC30103010设计，上电检测HOST_IRQ已经拉低，I2C可以连接和配置，但是DLPA3005没有VRST，VBIAS，VOFS电压输出，基本都是0V，在持续投图模式中，控制上下管MOS的gate信号始终没有，请问你们又遇到这种问题吗？
2025-02-20 07:55
非常重要，下管截至会导致开关噪音（交流输入时，上下两管会交替的导通和截至，这过程还产生开关噪音）。如果下管不截至，那这芯片作为功率级的偏压模块，会在HIFI领域有很大的用处。
2023-11-15 08:23
关于高压管子和低压管子，具体的米勒平台的时间，还需要看Vgs波形是否震荡为准。尤其在MOSFET用于上下桥互补斩波的时候，可能会出现一些问题。什么是上下桥互补斩波呢？上面这幅图就是
2021-07-05 11:39
ucc28950是怎么实现超前臂和滞后臂怎么实现移相的？芯片手册只写了上下管子的死区编程时间，没说怎么移相的，我是一个新手，虚心向各位老师请教，拜托了。
2019-03-07 20:37
的。那么下管导通瞬间，是发生在下管的Rdson从无穷大到很小的过程中的。那么下管突然导通，M点的电压肯定会被拉低，既然被拉低，必然有一个回路存在。如下图所示：上期回顾：从无到有，彻底搞懂
2021-07-09 09:55
研发背景:地下管线是城市赖以生存和发展的基础，关系到城市的安全与城市的发展，我国城市处于大发展时期，建设量大，建设工期紧，地下管线被破坏的情况频繁发生，给人们生活带来不便，甚至造成人员伤亡和重大
2013-10-28 16:39
工程师习惯性的认为：如果VGS尖峰电压大于功率MOSFET的阈值电压VTH，下管就会导通，那么上、下管就会产生直通，也就是所谓的Shoot Through，从而导致开关管的损坏。VTH，功率
2016-11-08 17:14
和电感电流：黄色----->Vds蓝色----->电感电流 图8 上管VDS和电感电流从图7和图8看出，MOSFET的VDS就不怎么好了，尖峰电压很高，并且上管的尖峰比下管
2020-06-10 11:04
的产生机理 由功率MOSFET的等效电路可知，3个极间均存在结电容，栅极输入端相当于一个容性网络，驱动电路存在着分布电感和驱动电阻，此时的桥式逆变电路如图1所示。以上管开通过程为例，当下管V2已经完全
2018-08-27 16:00
