如何避免功率MOSFET发生寄生导通?
2023-09-18 16:54
利用仿真技术验证了由于源极LSource生成反电动势VLS，通过MOSFET的电压并不等于全部的驱动电压VDRV。MOSFET导通时3引脚封装的反电动势VLS、栅极-源极VGS波形如下图所示。图中用圆圈突出显示的部分
2018-03-30 16:21
死区的方式把上下管导通时刻错开。但是，实际应用中微控制器可能因为程序错乱或上电过程中IO默认高电平等原因，使得上下管驱动信号同时为高电平（有效电平），从而
2023-03-15 09:39
上下管没有开始时间，都是毛刺，而且毛刺重合，这就会导致上下管同时导通，即使没有负载，12V电流也有350mA以上。波形如下，抓的都是
2020-09-15 15:49
在电机驱动、逆变电源等应用中，桥式电路是最基本的拓扑，典型三相桥式逆变电路如下图1所示。而桥式电路中的任一桥臂，其上下管一般采用180°导通方式，即上下管互补开关，为避免上下管
2023-03-14 11:39
用于高功率和高频应用的最有前途的器件之一是 SiC MOSFET。2,3 它支持更高的结温，其特点包括低导通电阻和更高的开关。SiC MOSFET 允许构建具有更高功率密度和更高效率的转换器。然而
2022-08-03 09:40
对于MOSFET，欧姆电阻不仅仅只考虑沟道电阻，对于阻断电压在50V以上的器件中低掺杂中间区域的电阻起到决定作用。
2021-05-01 17:26
RFID技术让地下管网系统进行现代化信息管理，提高管线的部署、日常维护及运行管理水平。
2020-01-16 11:40
如：一个PWM的频率是1000Hz，那么它的时钟周期就是1ms，就是1000us，如果高电平出现的时间是200us，那么低电平的时间肯定是800us，那么占空比就是200:1000，也就是说PWM的占空比就是1:5。
2020-07-07 16:33
MOSFET因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。MOSFET的驱动常根据电源IC和MOSFET的参数选择合适的电路。本文探讨
2016-12-15 16:00
