研发背景:地下管线是城市赖以生存和发展的基础，关系到城市的安全与城市的发展，我国城市处于大发展时期，建设量大，建设工期紧，地下管线被破坏的情况频繁发生，给人们生活带来不便，甚至造成人员伤亡和重大
2013-10-28 16:39
工程师习惯性的认为：如果VGS尖峰电压大于功率MOSFET的阈值电压VTH，下管就会导通，那么上、下管就会产生直通，也就是所谓的Shoot Through，从而导致开关
2016-11-08 17:14
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:03 编辑 普通三极管，是电流型放大元件，基极有电流，集电极就有放大HFE倍的电流，导通时，基极对发射极有0.7V压降，有NPN\PNP
2012-07-06 17:22
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:06 编辑 普通三极管，是电流型放大元件，基极有电流，集电极就有放大HFE倍的电流，导通时，基极对发射极有0.7V压降，有NPN\PNP
2012-07-05 10:50
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:05 编辑 普通三极管，是电流型放大元件，基极有电流，集电极就有放大HFE倍的电流，导通时，基极对发射极有0.7V压降，有NPN\PNP
2012-07-05 12:14
光伏、风力、燃料电池等新能源具有清洁、无污染、储量丰富等优点，其开发与利用已成为缓解全球能源危机和环境污染的重要途径[1]。然而单一的新能源发电系统容易受到地理环境、气候等因素影响，存在供电不连续、稳定性较差等缺陷，为提高供电系统稳定性和灵活性，需要采用多种新能源联合供电的分布式发电系统[2-3]。传统的新能源分布式发电系统中，光伏电池、风力发电机等新能源发电设备分别通过一个单输入直流变换器进行功...
2021-11-16 07:36
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:58 编辑 普通三极管，是电流型放大元件，基极有电流，集电极就有放大HFE倍的电流，导通时，基极对发射极有0.7V压降，有NPN\PNP
2012-07-09 17:37
型区。在功率MOSFET的内部，由许多这样的单元，也称“晶胞”，并联而成。硅片的面积越大，所能加工的单元越多，器件的导通电阻越小，能够通过的电流就越大；同样，在单位的面积的硅片上，能够加工的晶胞越多
2016-10-10 10:58
VDS由流过的电流ID与导通电阻的乘积来确定。为什么这个区被定义为可变电阻区呢？功率MOSFET数据表中定义的导通电阻都有一定的条件，特别是VGS，当VGS不同时，沟道
2016-12-21 11:39
MOS要快，可以用在高速电路上2. 什么是CMOS？complementary MOS (CMOS) 互补型金属氧化物半导体，在COMSO制成的逻辑器件过着单片机中，N型管和P型管往往是成对出现的。同时出现的这两个MOS管，任何时候，只要一只导通，另一只则不
2022-01-25 06:48
