30V供电，输出电流开路时，VG引脚输出电压会超过MOS管的VGS，会导致MOS
2024-08-07 07:30
如题。请问一下，MOSFET的手册里面哪个参数能看的出来，当其作为开关管，完全打开的时候，Vgs的电压？同事跟我讲，默认12V大多数都可以完全打开(NMOS)。低于12V就有点悬，
2020-11-11 21:37
`如图所示，MOS管的Vgs最低的时候也有3.6V左右，这样可能关不断mos管，这是为什么呢，有什么办法可以解决吗。`
2017-08-31 13:42
MOS管驱动电压最大是多少？过驱动电压Vod=Vgs-Vth。可bai以理解为：du超过驱动门限（Vth）的剩余
2021-11-12 08:18
看到TI有一款芯片是LM5050MK，它可以charger pump控制外部FET，但是我看到LM5050MK的GATE管教最大可以输出14V，那么当外接MOS管输入电压是24V是，这个
2019-04-03 08:48
在开启后，才会出现导电沟道；两者的控制方式也不一样，耗尽型MOS管的VGS（栅极电压）可以用正、零、负电压控制导通，而增
2021-01-15 15:39
MOS管型号：SIS412DN-T1-GE3我用Vgs电压5V，Vds电压24V，Id电流120ma，发现这个情况下
2022-09-02 12:11
输入端峰峰值最大10V正弦波信号。想通过分立的MOS管，实现让Ids相对Vgs线性增加的。Ids可在2mA~20mA变化.通过观察NMOS的 Id-Vgs关系图,不可能
2018-04-26 21:37
与源极S的电压，即栅极低于电源一定电压就导通，而非相对于地的电压。但是因为PMOS导通内阻比较大，所以只适用低功率的情况。大功率仍然使用N沟道MOS
2019-01-28 15:44
[size=13.63636302948px]我根据网上的资料了解到，Qg的定义为mos管完全打开时，栅极储存的电量，而我的理解是mos完全打开就是指当VGS=
2015-04-13 10:47
