测量MOS管的导通电阻除了在选定开关时有用,还在哪些方面有重要的意义?
2012-05-17 10:44
` (1)不同耐压的MOS管的导通电阻分布。不同耐压的MOS管,其导通电阻
2018-11-01 15:01
老规矩先放结论:与反向并联的二极管一同构成硬件死区电路形如:驱动电路电压源为mos结电容充电时经过栅极电阻,栅极电阻降低了充电功率,延长了栅极电容两端电压达到
2021-11-16 08:27
MOSFET建议用12V电压驱动;驱动电阻建议220~510欧,必须用;驱动电阻能有效抑制寄生振荡;另外注意,N-MOSFET是正电压开通,VGS>0;P-MOSFET是负电压开通
2012-07-04 17:31
MOSFET建议用12V电压驱动;驱动电阻建议220~510欧,必须用;驱动电阻能有效抑制寄生振荡;另外注意,N-MOSFET是正电压开通,VGS>0;P-MOSFET是负电压开通
2012-07-06 16:16
,可以使MOS管的VT值降到2~3V。 2.直流输入电阻RGS 即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比,这一特性有时以流过栅极的栅流表示,MOS
2018-11-20 14:06
揭秘mos管和mos管驱动电路之间的联系 在使用MOS管设计开关电源
2018-12-03 14:43
~3V。 2.直流输入电阻RGS 即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比,这一特性有时以流过栅极的栅流表示,MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。 3.漏源击穿电压BVDS 在VGS=0
2018-11-20 14:10
一、MOS管并联理论:(1)、三极管(BJT)具有负的温度系数,即当温度升高时,导通电阻会变小。(2)、MOS
2021-10-29 07:04
二极管的管压降0.5v左右,同样也应该可以测得到电阻一般为几千欧以内。1.2 如何判断MOS管是N型还是P型?2.
2021-12-31 06:20