1. 什么是MOS管？MOS管是金属-氧化物-半导体场效应晶体管的简称。1.1 如何判断
2021-12-31 06:20
。 MOS管的封装形式 封装技术也直接影响到芯片的性能和品质，对同样的芯片以不同形式的封装，也能提高芯片的性能。所以芯片的封装技术是非常重要的。 以安装在PCB的方式区分，功率
2018-11-14 14:51
的TO-220F封装形式（指用于开关电源中功率为50—200W的场效应开关管），其三个电极排列也一致，即将三只引脚向下，打印型号面向自巳，左侧引脚为栅极，右测
2018-10-25 16:36
间的穿通击穿 有些MOS管中，其沟道长度较短，不断增加VDS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区，使沟道长度为零，即产生漏源间的穿通，穿通后源区中的多数载流子，将直接受耗尽
2018-11-20 14:06
了裸片与封装系统的热效应。RθJA定义了从裸片表面到周围环境的热阻抗，而且一般通过一个脚注来标明与PCB设计的关系，包括镀铜的层数和厚度。 开关电源中的MOS管 现
2018-12-17 14:16
MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。MOS管是压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性，不会发生像三极管
2023-03-12 05:16
代码主要在这个文件里：C:\Users\DQ_SZU\Desktop\RoboFlyDEMO\Drive\src\motor.c我们要利用mos管的特性，定义4个引脚复用推挽输出，同时要注意每一个
2022-01-19 08:19
）。下面我们看一下MOS管的引脚，如下图所示：有3个引脚，分别为G（栅极）、S（源极）、D（漏极）。在上图可以
2021-10-28 07:46
及引脚排列。 1、用万用表识别MOS管的引脚 （1）N沟道MOS管
2021-11-16 07:54
（增强型）的条件下，在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS ID剧增的原因有下列两个方面： （1）漏极附近耗尽层的雪崩击穿 （2）漏源极间的穿通击穿 有些MOS管中，其
2018-11-20 14:10
