了VDS对ID的影响，是漏极特性某一点切线的斜率的倒数，在饱和区，ID几乎不随VDS改变，RON的数值很大，一般在几十千欧到几百千欧之间，由于在数字电路中，MOS管导通
2018-11-20 14:06
（增强型）的条件下，在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS ID剧增的原因有下列两个方面： （1）漏极附近耗尽层的雪崩击穿 （2）漏源极间的穿通击穿 有些MOS
2018-11-20 14:10
MOS管主要参数MOS管主要参数：1.开启电压VT ·开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压； ·标准的N沟道
2012-08-15 21:08
，电压VGS产生电场从而导致源极-漏极电流的产生。此时的栅极电压VGS决定了漏极电流的大小，控制栅极电压VGS的大小就可以控制漏极电流ID的大小。这就可以得出如下结论：1） MOS管是一个由改变电压来
2018-10-25 16:36
MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。MOS管是压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性，不会发生像三极管
2023-03-12 05:16
的散热设计，电流太高，MOS管标称的电流值，一般需要良好的散热才能达到。所以ID小于最大电流，也可能发热严重，需要足够的辅助散热片。 3、MOS管的选型有误，对功率判
2018-10-31 13:59
1. 什么是MOS管？MOS管是金属-氧化物-半导体场效应晶体管的简称。1.1 如何判断
2021-12-31 06:20
揭秘mos管和mos管驱动电路之间的联系 在使用MOS管设计开关电源
2018-12-03 14:43
一、MOS管并联理论：(1)、三极管(BJT)具有负的温度系数，即当温度升高时，导通电阻会变小。(2)、MOS管具有正的
2021-10-29 07:04
mos管的应用场景，你了解么？低压MOS管可称为金属氧化物半导体场效应管，因为低压
2018-11-14 09:24
