• 发文章

  • 发资料

  • 发帖

  • 提问

  • 发视频

创作活动
0
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
返回

电子发烧友 电子发烧友

  • 全文搜索
    • 全文搜索
    • 标题搜索
  • 全部时间
    • 全部时间
    • 1小时内
    • 1天内
    • 1周内
    • 1个月内
  • 默认排序
    • 默认排序
    • 按时间排序
  • 全部板块
    • 全部板块
大家还在搜
  • 关于mos漏极电流的计算

    关于mos漏极电流id的计算,能够找到的例子非常少,问的人也更加少,就是这个id电流计算有一个未知参数kn,这个参数在

    2018-05-28 18:59

  • MOSID与极限参数介绍

    [*附件:MOSID与极限参数介绍.pdf]()欢迎咨询,谢谢。

    2023-04-03 13:36

  • MOS放大电路设计问题

    如要求ID电流为10mA,VDS为电源一半,MOS开启电压为2~4V,如何VG电压、RS电阻?大神们指教一下!

    2019-04-20 15:03

  • MOS电路逻辑及MOS参数

    了VDS对ID的影响,是漏极特性某一点切线的斜率的倒数,在饱和区,ID几乎不随VDS改变,RON的数值很大,一般在几十千欧到几百千欧之间,由于在数字电路中,MOS导通

    2018-11-20 14:06

  • mosId和Is的区别

    vishay半导体的NMOSsi2302的Id是2.1A,Is是0.6A。当这个管子用来做开关电路时,开关电流最大以Id为准还是Is ?

    2016-06-02 11:24

  • N沟道MOS型号

    本帖最后由 gk320830 于 2015-3-8 20:28 编辑 N沟道MOS型号

    2012-12-21 15:41

  • MOS

    P沟道MOS和N沟道MOS的互补性体现在哪里????????大神帮助!!!!!!!

    2013-09-24 16:50

  • MOS电路逻辑及MOS参数

    (增强型)的条件下,在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS  ID剧增的原因有下列两个方面:  (1)漏极附近耗尽层的雪崩击穿  (2)漏源极间的穿通击穿  有些MOS

    2018-11-20 14:10

  • 推荐国内二三极 MOS品牌

    `LED 电源行业,推荐性价比高的二三极MOS品牌,厂家`

    2017-11-01 18:38

  • 推荐一款光MOS

    推荐一款光MOS,要两个光MOS封装在一个片子里,隔离电压在1000v以上,现在用的是松下的AQV258HAX,产

    2016-07-22 10:07