关于mos管漏极电流id的计算，能够找到的例子非常少，问的人也更加少，就是这个id电流计算有一个未知参数kn，这个参数在
2018-05-28 18:59
[*附件：MOS管的ID与极限参数介绍.pdf]()欢迎咨询，谢谢。
2023-04-03 13:36
vishay半导体的NMOS管si2302的Id是2.1A，Is是0.6A。当这个管子用来做开关电路时，开关电流最大以Id为准还是Is ?
2016-06-02 11:24
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-8 20:28 编辑 求N沟道MOS管型号
2012-12-21 15:41
了VDS对ID的影响，是漏极特性某一点切线的斜率的倒数，在饱和区，ID几乎不随VDS改变，RON的数值很大，一般在几十千欧到几百千欧之间，由于在数字电路中，MOS管导通
2018-11-20 14:06
KEC三击管KN2222-A NPN三级管
2016-05-24 14:14
如要求ID电流为10mA，VDS为电源一半，MOS管开启电压为2~4V，如何求VG电压、RS电阻？大神们指教一下！
2019-04-20 15:03
目前客户用的防烧电路中的MOS管一个主要规格要求Vth低，当前使用的防烧MOS管Vth (Vgs=Vds，Id=250u
2023-10-02 14:38
MOS管的工作电压和电流。这包括最大漏极-源极电压（Vds）、最大栅极-源极电压（Vgs）以及预期的漏极电流（Id）。这些参数将直接影响MOS
2024-11-15 14:16
MOS管，全称为金属-氧化物-半导体场效应晶体管，或者称是金属-绝缘体-半导体，是一种常见的半导体器件。根据其工作电压的不同，MOS
2023-10-16 17:21
