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型号：<b class='flag-s-7'>RG</b>401 品牌：纳特通信

RG401低互调测试电缆RG401低互调测试电缆，频率3GHz序号名称型号关键技术指标1RG401低互调

2021-08-31 14:21 纳特通信 企业号

型号：AFN4946BWS8<b class='flag-s-7'>RG</b>-VB 品牌：微碧

**产品型号：AFN4946BWS8RG-VB****丝印：VBA3638****品牌：VBsemi****参数：**- **MOS管类型：** 2个N-Channel沟道- **最大耐压

2024-03-11 15:59 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：HUSTEC-1600A-MT 品牌：

华科智源HUSTEC-1600A-MT MOS管测试仪/设备可用于多种封装形式的 IGBT测试，还可以测量大功率二极管

2024-05-15 17:05 hustec 企业号

型号：反射内存<b class='flag-s-7'>测试</b> 品牌：

首先确保机器硬件安装完毕，驱动安装成功，在设备管理器中能找到反射内存卡硬件，两台计算机各安装一块反射内存卡，并且用LC-LC光纤连接，黄色LINK灯正常点亮。在开始菜单或安装目录运行RFM2G Utility。在界面中输入：1回车，即可打开板卡进行相应的命令操作，输入help，打印出所有命令。在另一台安装反射内存卡的计算机上进行相应的操作，进入上图相同的控制

2022-10-13 11:08 天津拓航科技有限公司 企业号

型号：AFP3403AS23<b class='flag-s-7'>RG</b>-VB 品牌：微碧

**VBsemi AFP3403AS23RG-VB 详细参数说明和应用简介：**- **型号：** AFP3403AS23RG-VB- **丝印：** VB2355- **品牌：** VBsemi-

2024-03-11 17:44 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：AFN3452TS6<b class='flag-s-7'>RG</b>-VB 品牌：微碧

产品简介：AFN3452TS6RG-VB是VBsemi品牌的N-Channel沟道场效应晶体管，具有30V的耐压能力和6A的电流承受能力。其关键参数包括RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V

2024-05-22 16:04 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：AFN3456TS6<b class='flag-s-7'>RG</b>-VB 品牌：微碧

产品简介：AFN3456TS6RG-VB是VBsemi品牌的N—Channel沟道场效应晶体管，具有30V的耐压能力和6A的电流承受能力。其关键参数包括RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V

2024-05-22 16:11 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：HUSTEC-1600A-MT 品牌：

华科智源HUSTEC-1600A-MT静态参数测试仪可用于多种封装形式的 IGBT测试，还可以测量大功率二极管 、IGBT模块，大功率 IGBT、大功率双极型晶体管，

2024-05-13 16:31 hustec 企业号

型号：AFP2333AS23<b class='flag-s-7'>RG</b>-VB 品牌：微碧

**VBsemi AFP2333AS23RG-VB 产品详细参数说明和应用简介****型号：** AFP2333AS23RG-VB**丝印：** VB2290**品牌：** VBsemi**参数

2024-03-11 17:09 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：AFN3434WTS6<b class='flag-s-7'>RG</b>-VB 品牌：微碧

一、AFN3434WTS6RG-VB 产品简介：AFN3434WTS6RG-VB 是由品牌 VBsemi 生产的 N-Channel 沟道场效应晶体管。它采用 SOT23-6 封装，具有负向栅极电压

2024-05-22 15:50 微碧半导体VBsemi 企业号