OC门与OD门是分别通过三极管和MOS管搭建，首先来初步了解一下这两种器件的区别。
2023-11-13 16:43
MOS管构成的缓冲器Buffer和漏极开路们OD门是数字电路非常重要的概念，怎么构成的； 反相器，线与逻辑怎么玩，又怎么用呢？ 根据原理图，真值表，应用典型电路全面
2018-04-29 17:54
MOS管是由源极、漏极、门极和金属氧化物层组成，其中金属氧化物层是
2023-02-17 14:51
MOS管是一种金属氧化物半导体器件，它由源极、漏极、门极和金属氧化物
2023-02-17 15:11
。 特性 ： 受多种因素影响 ：连续漏极电流的大小受到MOS管尺寸、结构、工作温度、电压应力和电场效应等多种
2024-09-18 09:56
实际在MOS管生产的过程中衬底在出厂前就和源极连接，所以在符号的规则中，表示衬底的箭头也必须和源极相连接，以区别漏极和源
2018-08-16 10:36
体二极管是MOS管中的一个重要组成部分，它是衬底B与漏极D之间的PN结。由于把B极和S极短路了，因此出现了SD之间的体二
2024-01-23 09:39
在IGBT时代，门极电压的选择比较统一，无非Vge=+15V/-15V或+15V/-8V或+15V/0V这几档。而在新兴的SiC MOSFET领域，还未有约定俗成的门
2022-06-06 09:57
MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）的栅极电压控制是MOS管工作中的一个关键参数，它决定了
2024-09-18 09:42
