解答：TVS管可以根据输入电压来确定，一般取值为输入电压的1.2～1.5倍，功率根据防护的浪涌电压来选择，输出电容一般按
2018-07-18 15:13
，可以使MOS管的VT值降到2～3V。 2.直流输入电阻RGS 即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比，这一特性有时以流过栅极的栅流表示，MOS
2018-11-20 14:06
制在10V左右。 二、MOS管的栅源输入电压必须被严格的拧制在输入电压值之内,即使输入栅极的电压低于电压值也不是最保险
2018-10-19 16:21
一. 电容输入 touchRead(pin) 及电容输入中断touchAttachInterrupt(pin, TSR , threshold)ESP32专门提供了
2022-01-10 08:10
～3V。 2.直流输入电阻RGS 即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比，这一特性有时以流过栅极的栅流表示，MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。 3.漏源击穿电压BVDS 在VGS=0
2018-11-20 14:10
的半导体器材。 MOS管可以用作可变电阻也可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不
2018-12-28 11:54
多以NMOS为主。 MOS管的三个管教之间有寄生电容存在，这不是我们需要的，而是由于制造工艺限制产生的，寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些，但没有
2018-12-03 14:43
件。场效应管的名字也来源于它的输入端栅（称为gate），通过投影一个电场在一个绝缘层（氧化物SIO2)上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体（只是一个电容
2012-07-11 11:53
非常小心，特别是功率较小的MOS管，由于功率较小的MOS管输入电容比较小
2018-11-01 15:17
本帖最后由 dianzijie5 于 2011-6-16 16:14 编辑 典型应用需要增加外部输入和输出电容器。选择对电容器稳定性方面没有要求的LDO，可以降低
2011-06-16 16:13
