MOS管的导通与截止由栅源电压来控制，对于增强型MOS管来说，N沟道的管
2021-06-15 15:43
MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属-氧化物半导体场效应晶体管）的导通
2024-07-23 11:44
MOS管的导通与截止由栅源电压来控制，对于增强型MOS管来说，N沟道的管
2024-03-14 15:47
MOS管（金属氧化物半导体场效应晶体管）的导通电压与漏电流之间的关系是MOS
2024-11-05 14:03
MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属-氧化层半导体场效应晶体管）作为电子工程中的重要元件，其导
2024-07-16 11:40
MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属-氧化层半导体场效应晶体管）作为电子工程中的重要元件，其导
2024-09-14 16:09
MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）的栅极电压控制是MOS管工作中的一个关键参数，它决定了
2024-09-18 09:42
MOS管的阈值电压（Threshold Voltage）是一个至关重要的参数，它决定了MOS管（金属氧化物半导体场效应晶
2024-10-29 18:01
一般情况下，普遍用于高端驱动的MOS，导通时需要是栅极电压大于源极电压，而高端驱动的MOS
2023-08-02 14:01
在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大
2012-10-26 14:24
