MOS管是N沟道si2302，用人体感应模块3.3V电压控制栅极，负载电流260ma，导通后负载电压11.3V。
2021-08-26 08:33
MOS管的导通与截止由栅源电压来控制，对于增强型MOS管来说，N沟道的管
2021-06-15 15:43
MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属-氧化物半导体场效应晶体管）的导通
2024-07-23 11:44
MOS管的导通与截止由栅源电压来控制，对于增强型MOS管来说，N沟道的管
2024-03-14 15:47
MOS管（金属氧化物半导体场效应晶体管）的导通电压与漏电流之间的关系是MOS
2024-11-05 14:03
一直在导通？但是：当CTL信号没有的时候，VB1一直有电压，大概比VB小0.5V.奇怪的是在VB和三极管c极之间的，10
2018-11-30 10:36
。MOS在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。MOS两端的电压有一个
2012-11-12 15:40
导通损耗。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有。MOS在
2012-12-18 15:37
MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属-氧化层半导体场效应晶体管）作为电子工程中的重要元件，其导
2024-07-16 11:40
MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属-氧化层半导体场效应晶体管）作为电子工程中的重要元件，其导
2024-09-14 16:09
