过二极管，放电功率不受限制，故此情况下mos管开启速度较关断速度慢，形成硬件死区。限流当使用含内部死区的驱动或不需要硬件死区时，是否可以省去
2021-11-16 08:27
一般情况下普遍用于高端驱动的MOS管，导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS
2021-10-29 08:34
揭秘mos管电路逻辑及mos管参数 1.开启电压VT 开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的
2018-11-20 14:06
制在10V左右。 二、MOS管的栅源输入电压必须被严格的拧制在输入电压值之内,即使输入栅极的电压低于电压值也不是最保险的,因为连接华晶MOS
2018-10-19 16:21
1.开启电压VT 开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；·标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V；·通过工艺上的改进，可以使MO
2018-11-20 14:10
电流，因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路，所以瞬间电流会比较大。选择/设计MOS管驱动时第一要注意的是可提供瞬间短路电流的大小。 第二注意的是，普遍用于高端驱动的N
2019-02-14 11:35
多以NMOS为主。 MOS管的三个管教之间有寄生电容存在，这不是我们需要的，而是由于制造工艺限制产生的，寄生电容的存在
2018-12-03 14:43
` MOS管是属于绝缘栅场效应管，栅极是无直流通路，输入阻抗极高，极易引起静电荷聚集，产生较高的电压将栅极和源极之间的
2018-11-01 15:17
MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。MOS管是压控器件它通过加在
2023-03-12 05:16
构成了一个N沟道（NPN型）增强型MOS管。显然它的栅极和其它电极间是绝缘的。MOS管的基本特性：
2018-10-25 16:36
