由于MOS管栅极寄生电容以及寄生电感的存在使得MOS管驱动时
2014-05-24 15:28
-栅极之间的米勒电容效应所引起的台阶。此时对应的MOS管的功耗就大大增加了。 由上面的实验结果来看，在MOS
2023-03-10 15:06
过二极管，放电功率不受限制，故此情况下mos管开启速度较关断速度慢，形成硬件死区。限流当使用含内部死区的驱动或不需要硬件死区时，是否可以省去
2021-11-16 08:27
。 而当栅极开路的时候，这个电流只能给下方的Cgs电容充电，然后就会导致栅极电压突然升高。当超过MOS管的门线电压VT
2023-03-15 16:55
使用了UC3842做了一个反激式开关电源。现在是能够正常输出，但是MOS管一直工作在线性状态，栅极电压最高才4.2V的电压。 电路图是这个样的 图中标记了一个电容加上这
2024-04-15 19:40
吗，为什么？2、导通之后，三极管基极和MOS管栅极的电流几乎一样，而且是pf级别的，非常小。所以具体过程是不是刚开始MOS
2021-04-27 12:03
一般情况下普遍用于高端驱动的MOS管，导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS
2021-10-29 08:34
制在10V左右。 二、MOS管的栅源输入电压必须被严格的拧制在输入电压值之内,即使输入栅极的电压低于电压值也不是最保险的,因为连接华晶MOS
2018-10-19 16:21
怎样去计算MOS管栅极的驱动电流呢？如何对MOS管的驱动波形进行测试呢？
2021-09-28 07:36
在一张图中，源漏相连，衬底接地，栅极接入电路中加电压，那这个时候MOS管是有什么作用呢？那为什么要用MOS而不直接用一个电容
2021-06-24 06:28
