原理，请看下图：NMOS管的主回路电流方向为D→S，导通条件为VGS有一定的压差，一般为510V（G电位比S电位高）；而PMOS管的主回路电流方向为S→D，
2021-10-28 08:37
【1】NMOS管的主回路电流方向为D→S，导通条件为VGS有一定的压差，一般为5~10V（G电位比S电位高）【2】PMOS管的主回路电流方向为S→D，
2021-10-29 06:32
测量MOS管的导通电阻除了在选定开关时有用，还在哪些方面有重要的意义？
2012-05-17 10:44
` （1）不同耐压的MOS管的导通电阻分布。不同耐压的MOS管，其导通
2018-11-01 15:01
和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导。gm反映了栅源电压对漏极电流的控制能力，是表征MOS管放大能力的一个重要参数。一般在十分之几至几mA/V的范围内。 6.导
2018-11-20 14:06
（增强型）的条件下，在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS ID剧增的原因有下列两个方面： （1）漏极附近耗尽层的雪崩击穿 （2）漏源极间的穿通击穿 有些MOS管中，其
2018-11-20 14:10
揭秘mos管和mos管驱动电路之间的联系 在使用MOS管设计开关电源
2018-12-03 14:43
` 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的
2019-02-14 11:35
一、MOS管并联理论：(1)、三极管(BJT)具有负的温度系数，即当温度升高时，导通电阻会变小。(2)、MOS
2021-10-29 07:04
下 ，漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导 ·gm反映了栅源电压对漏极电流的控制能力 ·是表征MOS管放大能力的一个重要参数 ·一般在十分之几至几mA/V的范围内6.
2012-08-15 21:08
