。是从电压角度理解的，若从电流理解，是同相的。mos管，当Vds过大时，漏极区下面的通道截止，怎么还会有电流当vgs一定，vds持续增大，近漏极端的沟道深度进一步减小，
2012-07-09 17:45
本文记录以二极管连接的MOS作为负载的共源极放大器。1. 原理分析二极管连接的M
2021-12-30 07:47
更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。所以在com管的栅极加上电压就可以控制漏源电流的大小。三极管的原理网上很多可以参考。实际上
2012-07-11 11:53
1.直接驱动 电阻R1的作用是限流和抑制寄生振荡，一般为10ohm到100ohm,R2是为关断时提供放电回路的;稳压二极管D1和D2是保护MOS管的门]极和源
2018-11-16 11:43
在一定范围内的变化会引起源漏间导通电阻的变化。二者的主要区别就是：双极型管是电流控制器件（通过基极较小的电流控制较大的集电极电流），MOS管是电压控制器件（通过栅极电压控制源
2018-03-25 20:55
1、电压负载 在具有直流稳压大功率电路的应用中，通常首先考虑选择漏源电压VDS。这里的理由是，在实际工作环境中，MOSFET的最大峰值漏极-
2021-11-12 08:12
（1)直接驱动 电阻R1的作用是限流和抑制寄生振荡，一般为10ohm到100ohm,R2是为关断时提供放电回路的;稳压二极管D1和D2是保护MOS管的门]极和源
2018-12-24 14:39
基于Howland电流源的双极电流源
2019-07-26 06:15
前面讨论过，单纯的考虑IDM电流没有意义，而是考虑最大漏极电流的持续时间。IDM和实际的应用最相关的状态就是系统发生短路，例如在电机控制应用 中，在一些恶劣条件下，由于机械的摩擦或碰触，绕组油漆局部
2016-08-24 16:02
,JFET的输入电阻大于107Ω,MOS管的输入电阻大于109Ω. 三、MOS管的源极和漏
2019-04-10 14:55
