（Source, S）和漏极（Drain, D）是两个关键的电极，它们与栅极（Gate, G）共同构成了MOS管的基本结构。以下是对MOS管
2024-07-23 14:21
MOS芯片是一种常见的电子器件，其中MOS管（MOSFET）是一种常用的三端器件，包括源极（Source）、漏
2024-01-10 15:34
MOS管驱动电机，负载接在漏极端；MOS+运放组成的恒流源，负载也在漏极端。想问一下，负载可以放在源
2021-07-08 18:07
mos管源极和漏极的区别 MOSFET，金属氧化物半导体场效应晶体管，是一种晶体管，其目的是通过改变其栅极和
2023-08-25 14:49
源极和漏极的区别 源极和漏
2023-12-07 15:48
MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种广泛使用的半导体器件，它在电子电路中扮演着开关和放大器的角色。MOSFET由四个主要部分组成：源极（Source）、漏极
2024-09-18 09:58
普通N MOS管给栅极一个高电压 ，漏极一个低电压，漏源极就能导通。这个
2019-06-21 13:30
MOS管有三个引脚，分别是，栅极G、源极S、漏极D，这三个脚，用于链接外部的电路。其中栅极G是控制引脚，通过改变引脚
2023-02-27 17:41
小女子初次进入这个行业请多多帮忙 ………………不胜感激{:soso_e100:}MOS管漏极与源极并联一个稳压二
2011-10-09 14:42
MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管）的连续漏极电流是指在MOS管
2024-09-18 09:56
