作者 IC_learner 在此特别鸣谢； 今天我就来聊聊基本的器件：CMOS器件及其电路。在后面会聊聊锁存器和触发器。 今天的主要内容如下所示： ·MOS晶体管结构与工作原理简述 ** ·CMOS
2023-01-28 08:16
对于从事芯片行业的人员来说，还是有必要了解数字电路中的一些基本概念，例如用作逻辑开关的 MOS 晶体管。当然，我们的目的是了解现代芯片中的行为本质，而不需要陷入半导体物理方程。
2024-07-29 10:02
本章定性和定量分析MOS的电流IDS与栅源电压VGS、漏源电压VDS间的IV特性关系。NMOS的剖面结构图以及其电路符合如下图所示，由栅极(G)，漏极(D)、源极(S)和基板(B)构成。当GS极加入
2022-11-15 10:05
自20世纪40年代末至50年代初发明晶体管以来，它一直是电子器件中最主要的元件，它使现代技术得到了极大的提高。摩尔定律和Dennard缩放已经描述了改进现代IC设计中的晶体管的功能尺寸和性能的需要；也就是说，每24个月就需要将某个芯片中的
2020-10-10 14:54
使用MOS晶体管从另一个角度来研究零增益放大器的性能将颇有助益。
2021-08-09 15:53
MOS管用于高频高速电路，大电流场合，以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。一般来说低成本场合，普通应用的先考虑用三极管，不行的话考虑MOS管。实际上说电流控制慢，电
2018-03-23 14:54
由于工艺和成本的问题，一般由N沟道增强型MOS晶体管作低边驱动，其具体结构如下图所示。
2023-11-14 16:08
内部电路中包含基准电压源、误差放大器、预先调整输出电压用电阻、输出用P沟道MOS晶体管。
2018-05-16 14:43
电荷泵技术（Charge Pumping）经过四十多年的发展，通过测量MOS 晶体管中的界面电荷，已成为测量和表征 MOS 器件界面性质的最有效、最可靠，并被广泛接受的技术。
2025-08-05 11:51
既往的LDO如图1所示，把P沟道MOS晶体管作为驱动晶体管使用。这种情况下，驱动晶体管的VGS变得最大成为VIN-VSS之间的电压，因为随VIN降低VGS也下降，倾向于
2018-12-27 17:31
