关于CMOS 和TTL器件的区别CMOS：互补金属氧化物半导体逻辑器件TTL：晶体管-晶体管逻辑系列器件TTL输出级有两个晶体管，任何时刻只有一个导通，又是被称为图腾柱，或者推拉式输出；
2012-04-25 11:17
什么是TTL电平，什么是CMOS电平，他们的区别(一)TTL高电平3.6~5V，低电平0V~2.4V CMOS电平Vcc可达到12V ...
2022-01-25 06:19
本帖最后由 hxing 于 2014-3-23 14:48 编辑 TTL和CMOS门电路的区别：1. TTL和带缓冲的TTL信号 输出高电平>2.4V,输出低电平=2.0V，输入低电平
2014-03-23 14:27
相机、镜头、光源参考了网上很多资料，由于时间比较久忘记来源了，如果发现有你文章的内容，请联系我加上您的链接1.CCD（电荷耦合器）和CMOS（互补氧化物半导体）：1.1 CCD信息的读取需要以行为
2021-07-26 06:32
目录 IGBT和MOS管的区别：IGBT和可控硅的区别：IGBT驱动电路设计：1、IGBT驱动电路的设计2、IGBT驱动器的选择3、IGBT驱动电路的设计IGBT和MOS
2021-09-09 08:05
区别：1.MOS管损耗比三极管小，导通后压降理论上为0。2.MOS管为电压驱动型，只需要给电压即可，意思是即便串入一个100K的电阻，只要电压够，MOS管还是能够导通。
2021-10-29 08:38
1. MOSFET、MESFET、MODFET有何区别？MOSFET是MOS(金属-氧化物-半导体) 做栅极MODFET/MESFET 是用金属-半导体接触(肖特基二极管)，用二极管做栅极，速度比
2022-01-25 06:48
在做电路设计中三极管和MOS管做开关用时候有什么区别工作性质： 1、三极管用电流控制，MOS管属于电压控制。2、成本问题：三极管便宜，MOS管贵。3、功耗问题：三极管损
2021-10-29 07:49
MOS集成逻辑门电路CMOS非门CMOS传输门(模拟开关)CMOS电路的优点静态功耗小。允许电源电压范围宽（3?18V）。扇出系数大，抗噪容限大。逻辑摆幅大，输入阻抗高
2009-09-24 10:55
在一定范围内的变化会引起源漏间导通电阻的变化。二者的主要区别就是：双极型管是电流控制器件（通过基极较小的电流控制较大的集电极电流），MOS管是电压控制器件（通过栅极电压控制源漏间导通电阻）。MOS管(场效应管
2018-03-25 20:55
