HMC347B 是一款宽频、非反射、砷化镓 (GaAs)、假晶高电子迁移率晶体管 (pHEMT)、单刀双掷 (SPDT)、单片微波集成电路 (MMIC) 芯片。因为采用片内通孔结构，该交换芯片
2025-03-05 14:12
HMC939A裸片是一款宽带5位GaAs IC数字衰减器MMIC芯片。在0.1到40 GHz频率下运行，插入损耗低于5 dB典型值。对于31 dB的总衰减，衰减器位值为1.0 (LSB)、2、4、8
2025-04-23 15:01
HMC941A裸片是一款宽带5位GaAs IC数字衰减器MMIC芯片。在0.1到30 GHz频率下运行，插入损耗低于4 dB典型值。对于15.5 dB的总衰减，衰减器位值为0.5 (LSB)、1、2
2025-04-23 14:56
标准矩形波导WR-62，将波导功分/合成器、波导E面微带探针以及MMIC芯片进行级联，将两个输出功率为45dBm（31.6W）的MMIC芯片进行功率合成，借助HFSS三
2023-08-25 10:44
相对于传统平面型的金丝键合焊接的MMIC应用，三维（3D）多芯片互连封装MMIC以其高集成度、低损耗、高可靠性等性能优势，正逐步在先进电路与系统中得到应用。而3D封装引入的复杂电磁耦合效应，在传统
2023-08-30 10:02
HMC339芯片是一款集成LO放大器的次谐波(x2) MMIC混频器，可用作上变频器或下变频器。 该芯片利用GaAs PHEMT技术，芯片整体面积为1.07mm²。 2
2025-04-02 09:25
HMC337芯片是一款集成LO放大器的次谐波(x2) MMIC混频器，可用作上变频器或下变频器。 该芯片利用GaAs PHEMT技术，芯片整体面积为1.28mm²。 2
2025-04-01 15:56
HMC404芯片是一款集成LO放大器的次谐波(x2) MMIC镜像抑制混频器，可用作上变频器或下变频器。 该芯片利用GaAs PHEMT技术，芯片整体面积为2.31mm
2025-04-02 09:30
功率放大器是毫米波频段发射机不可缺少的关键部件，输出功率的大小决定了整个系统的作用距离和抗干扰能力。在毫米波系统中，随着频率的升高，单个MMIC芯片的输出功率已经不能满足实际的使用要求，尤其是
2017-12-09 10:53
HMC572是一款紧凑型GaAs MMIC I/Q下变频器芯片，在整个频段内提供8 dB小信号换换增益、3.5 dB噪声系数和20 dB镜像抑制性能。 该器件采用LNA，后接由x2有源倍频器驱动的镜像抑制混频器。 该镜像抑制混频器使得LNA之后无需使用滤波器，并可
2025-04-02 09:51
