HMC3653LP3BE是一款HBT增益模块MMIC放大器，工作频率范围为7 GHz至15 GHz，采用3x3 mm QFN SMT塑料封装。 该多功能放大器可在50 Ohm应用中用作IF或RF增益
2025-03-20 09:42
HMC3587LP3BE是一款HBT增益模块MMIC放大器，工作频率范围为4 GHz至10 GHz，采用3x3 mm QFN SMT塑料封装。 该多功能放大器可在50 Ohm应用中用作IF或RF增益
2025-03-20 09:33
HMC740是一款InGaP异质结双极性晶体管(HBT)增益模块MMIC SMT放大器，工作频率范围为0.05至3 GHz。 该放大器采用业界标准SOT89封装，可用作级联50 Ω RF或IF增益级
2025-03-21 11:40
HMC311LP3(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT)增益模块MMIC SMT放大器，工作频率范围为DC至6 GHz。 此款3x3mm QFN封装放大器可用作级联50 Ohm
2025-03-19 15:51
HMC789ST89E是一款高线性度GaAs InGaP HBT增益模块MMIC，工作频率范围为0.7至2.8 GHz，采用业界标准SOT89封装。 该放大器仅使用极小数量的外部元件和+5V单电源
2025-03-21 14:37
Toshiba公司推出的小型、低噪音放大器系列，在VHF-UHF宽带应用中能够提供良好的线性和低电流消耗，其中输入信号强度可能是变化的。新的SiGe 单芯片组合器件尤其适用于固定和移动地面调谐器应用，在这些方面可用来改进动态范围和限度减少失真，同时降低能耗和元件密度。
2021-02-22 10:48
HMC313(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC放大器，采用Vcc单电源工作。 表面贴装SOT26放大器可用作宽带增益级，或用于针对窄带应用优化的外部匹配。 Vcc
2025-03-19 16:03
HMC788A是一款0.01 GHz至10 GHz、增益模块、单芯片微波集成电路(MMIC)放大器，采用砷化镓(GaAs)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)技术制造。 此款2 mm × 2
2025-03-21 14:33
负载牵引系统是改变射频微波器件输入源阻抗和输出负载阻抗的阻抗牵引系统，它可以测量出射频微波器件及功率芯片在不同源阻抗及负载阻抗下的各种工作参数，典型的被测件是功率晶体管、MMIC 及放大器。
2023-07-09 11:38
单片微波集成电路（MMIC），有时也称射频集成电路(RFIC)，它是随着半导体制造技术的发展，特别是离子掺入控制水平的提高和晶体管自我排列工艺的成熟而出现的一类高频放大器件。在这类器件中，作为反馈
2023-05-04 15:28
