MI3135-VB---**产品简介:**MI3135-VB 是由 VBsemi 公司推出的 P-Channel 沟道 MOSFET。其主要特点包括 -30V 的漏极-源极电压承受能力,-5.8A
2024-06-11 15:09 微碧半导体VBsemi 企业号
TTM Technologies 的 E200N50X4 是一款端接器,频率 DC 至 2.2 GHz、功率 200 W、回波损耗 20 dB、工作温度 -50 至 200 摄氏度。标签
2023-08-17 15:56 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
MI413-VB是VBsemi生产的P—Channel沟道功率场效应晶体管型号。以下是该型号的产品简介和详细参数说明:### 产品简介:MI413-VB是一款高性能P—Channel沟道功率
2024-06-11 15:10 微碧半导体VBsemi 企业号
MI3101-VB是一款由VBsemi生产的P-Channel沟道场效应晶体管。以下是该型号的产品简介详述和详细的参数说明:### 产品简介详述:MI3101-VB是一款功率P-Channel
2024-06-11 15:04 微碧半导体VBsemi 企业号
MI3131-VB是VBsemi品牌推出的P-Channel沟道场效应管,具有-30V的耐压和-5.8A的耐电流能力。该器件在VGS=10V时,具有50mΩ的RDS(ON),并在VGS=20V时工作
2024-06-11 15:07 微碧半导体VBsemi 企业号
MI3105-VB是VBsemi品牌的P—Channel沟道场效应管,丝印标识为VBI2338。该器件采用SOT89-3封装,具有-30V的漏极-源极电压承受能力,-5.8A的漏极电流承受能力,以及
2024-06-11 15:06 微碧半导体VBsemi 企业号
参数表节选:的技术参数 OBT200-18GM60-E5-V1产品阐述 漫反射型光电传感器通用规格检测距离0 ... 200 mm参考目标标准白 200 mm x
2022-08-24 14:04 上海冠宁科技发展有限公司 企业号
技术参数节选 UB200-12GM-E5-V1产品阐述 单头系统通用规格感应范围15 ... 200 mm调整范围20 ... 200 mm死区0 ... 15 mm标准目标板
2022-12-16 13:23 上海冠宁科技发展有限公司 企业号
参数表节选:的技术参数 OBT200-18GM60-E5-V1产品阐述 漫反射型光电传感器通用规格检测距离0 ... 200 mm参考目标标准白 200 mm x
2022-09-22 13:38 上海冠宁科技发展有限公司 企业号