VBsemi 1N60-VB TO251 MOSFET产品简介:1N60-VB TO251是一款单N沟道场效应管,具有650V的漏极-源极电压(VDS),30V的栅极-源极电压(VGS)(±V
2024-07-09 13:52 微碧半导体VBsemi 企业号
### 5N60L-TF1-T-VB 产品简介5N60L-TF1-T-VB 是一款单 N-Channel MOSFET,采用 TO220F 封装,适用于高压应用场合。它具有650V的漏极-源极电压
2024-11-14 15:48 微碧半导体VBsemi 企业号
### 10N60KL-TF1-T-VB 产品简介**型号**: 10N60KL-TF1-T-VB **封装**: TO220F **配置**: 单N通道#### 产品概述
2024-07-04 17:07 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介:VBsemi的1N60-VB TO251是一款单N沟道MOSFET,具有高耐压和低导通电阻。采用Plannar技术,适用于低功率应用。### 详细参数说明:- **包装
2024-07-09 13:48 微碧半导体VBsemi 企业号
**1N60-TO251-VB****丝印:** VBFB165R02 **品牌:** VBsemi **参数:** TO251;N—Channel沟道, 650V;2A
2024-02-19 15:47 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介:VBsemi 1N60-VB TO252是一款单N沟道功率MOSFET,具有650V的漏极-源极电压(VDS)和30V的最大门极-源极电压(VGS)。采用Plannar技术,适用于
2024-07-09 13:50 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介4N60L-TF1-T-VB是一款单N沟道MOSFET,采用TO220F封装,具有高压承受能力和稳定的性能特征。这款MOSFET适用于需要高电压和低功率特性的应用场合。### 详细
2024-11-13 14:54 微碧半导体VBsemi 企业号
了解了,以下是关于10N60L-TF1-T-VB型号的产品简介、详细参数说明及其应用领域和模块的示例说明。### 产品简介**10N60L-TF1-T-VB**是一款高压N沟道功率MOSFET,采用
2024-07-04 17:17 微碧半导体VBsemi 企业号