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2025-09-15 15:51 微碧半导体VBsemi 企业号
### MDF4N60DTH-VB 产品简介MDF4N60DTH-VB 是一款高压 N 沟道功率 MOSFET，采用 TO220F 封装，专为高压应用设计。其漏源电压 (VDS) 为 650V，栅源
2025-09-15 15:12 微碧半导体VBsemi 企业号
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2025-09-15 16:02 微碧半导体VBsemi 企业号
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2025-09-15 15:05 微碧半导体VBsemi 企业号
### MDF10N60G-VB 产品简介MDF10N60G-VB 是一款高压 N 沟道功率 MOSFET，采用 TO220F 封装，专为高压和高电流应用设计。其漏源电压 (VDS) 高达 650V
2025-09-15 15:02 微碧半导体VBsemi 企业号
### MDF7N65BTH-VB MOSFET 产品简介MDF7N65BTH-VB 是一款高电压单 N 沟道 MOSFET，采用 TO220F 封装，设计用于高电压和中等功率的应用。其最大漏源电压
2025-09-15 16:06 微碧半导体VBsemi 企业号
### MDF8N60B-VB 产品概述：MDF8N60B-VB 是一款高压 N 沟道 MOSFET，最大漏源电压（VDS）为 650V，漏电流（ID）为 10A，采用 TO220F 封装，适合高
2025-09-15 16:08 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、MDF5N50F-VB 产品简介MDF5N50F-VB 是一款高压单N沟道MOSFET，采用TO220F封装，专为高电压和中等功率应用设计。其最大漏源电压（VDS）可达到650V，适用于
2025-09-15 15:45 微碧半导体VBsemi 企业号
### MDF6N60-VB 产品简介MDF6N60-VB 是一款高压 N 沟道功率 MOSFET，采用 TO220F 封装，专为高电压和高功率应用设计。其漏源电压 (VDS) 高达 650V，适合
2025-09-15 15:56 微碧半导体VBsemi 企业号
### MDF6N60B-VB MOSFET 产品简介MDF6N60B-VB 是一款高压 N 沟道功率 MOSFET，采用 TO220F 封装，设计用于高压和高功率应用。其最大漏源电压 (VDS
2025-09-15 15:59 微碧半导体VBsemi 企业号
