TTM Technologies 的 11302-20 是一款定向耦合器，频率为 190 至 400 MHz，耦合 20 dB，耦合变化 ±1.50 dB，频率灵敏度 ±0.90 dB，方向性 14
2023-08-15 14:59 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
TTM Technologies 的 1615-20 是一款固定衰减器，频率 DC 至 2.3 GHz，衰减 20 dB，功率 100 W，衰减精度 ±1 dB，工作温度 -55 至 200 摄氏度
2023-08-17 11:49 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
TTM Technologies 的 11305-20 是一款定向耦合器，频率为 1 至 2 GHz，耦合 20 dB，耦合变化 ±1.00 dB，频率灵敏度 ±0.80 dB，方向性 18 dB
2023-08-15 16:22 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
### 一、产品简介**VBsemi 15N20-VB MOSFET 产品简介**15N20-VB 是一款高性能单N沟道功率MOSFET，由VBsemi采用先进的Trench工艺技术生产。该器件具有
2024-07-06 16:37 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介VBsemi的13N20-VB是一款单N沟道MOSFET，采用Trench技术，具有200V的漏极-源极电压（VDS）和20V的栅极-源极电压（VGS）。该器件的漏极-源极导通电
2024-07-06 14:26 微碧半导体VBsemi 企业号
### 15N20L-VB MOSFET 产品简介VBsemi 15N20L-VB 是一款单N沟道MOSFET，采用Trench技术制造，具有高电压承受能力和低导通电阻。该器件封装为TO252
2024-07-06 16:35 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**型号：AM40N20-180P-VB**AM40N20-180P-VB 是一款单 N 通道 MOSFET，采用先进的沟槽技术制造。该器件封装为 TO220，具有高电压耐受能力
2024-11-29 16:19 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介VBsemi的12DN20N-VB是一款单N沟道MOSFET，采用Trench技术，具有200V的漏极-源极电压（VDS）和20V的栅极-源极电压（VGS）。该器件的漏极-源极导通电
2024-07-05 16:24 微碧半导体VBsemi 企业号
