### 产品简介VBsemi的11N60C3-VB是一款单N沟道MOSFET，采用Plannar技术，具有高达650V的漏极-源极电压（VDS）和30V的栅极-源极电压（VGS）。该器件的漏极-源极
2024-07-05 14:38 微碧半导体VBsemi 企业号
; 产品细节部分编号TCML1-11+制造商微型电路描述射频变压器,表面安装,配置。G,平衡输电线路,0.50-6,700兆赫一般参数配置转换器类型
2023-08-22 11:53 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
; 产品细节部分编号TC4-11+制造商微型电路描述射频变压器,表面安装,配置。不平衡到不平衡。050-2500兆赫一般参数配置转
2023-08-22 15:50 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
; 产品细节部分编号TCL1-11+制造商微型电路描述射频变压器,表面安装,配置。G,平衡输电线路,0.50-6,700兆赫一般参数配置转换器类型平衡平
2023-08-22 11:59 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
### 产品简介**型号：11NM60ND-VB TO252**VBsemi的11NM60ND-VB是一款高性能的N沟道MOSFET，采用先进的SJ_Multi-EPI技术设计，具有低导通电阻和高
2024-07-05 15:09 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介：11NM50N-VB TO252是一款单N沟道MOSFET，具有650V的漏极-源极电压（VDS）、30V的栅极-源极电压（VGS，±V）、3.5V的阈值电压（Vth）、370m
2024-07-05 15:04 微碧半导体VBsemi 企业号
## 产品简介：VBsemi的MOSFET产品11N40L-TA3-T-VB是一款单N沟道MOSFET，采用了SJ_Multi-EPI技术，具有650V的漏极-源极电压（VDS）和11A的漏极电流
2024-07-05 14:21 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介：11N40G-TA3-T-VB是一款单N沟道MOSFET，具有650V的漏极-源极电压（VDS）、30V的栅极-源极电压（VGS，±V）、3.5V的阈值电压（Vth）、420m
2024-07-05 14:20 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介：XP162A11C0PR-VB是VBsemi推出的一款P-Channel沟道MOSFET，具有低压降和高电流承受能力。该器件采用SOT89-3封装，适用于多种电源管理和开关
2024-06-17 16:15 微碧半导体VBsemi 企业号
