**一、IXTP7N60PM-VB 产品简介** IXTP7N60PM-VB 是一款高压单N沟道功率MOSFET,采用TO-220F封装,设计用于承受高达650V的漏源极电压(VDS
2025-09-10 11:07 微碧半导体VBsemi 企业号
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2024-11-21 13:51 微碧半导体VBsemi 企业号
:-4A- 漏极-源极电阻(RDS(ON)):57mΩ @ VGS=4.5V, VGS=12V- 阈值电压(Vth):-0.81V**应用简介:**
2024-04-02 17:19 微碧半导体VBsemi 企业号
PM606BA-VB详细参数:- 类型: N-Channel MOSFET- 额定电压(V): 30- 额定电流(A): 6.5- 导通电阻(RDS(ON)): 30mΩ @ VGS=10
2024-04-02 17:25 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、IXFP5N50PM-VB 产品简介IXFP5N50PM-VB 是一款高压单N沟道MOSFET,采用TO220F封装,具备650V的漏源极电压 (VDS) 和7
2025-09-10 11:00 微碧半导体VBsemi 企业号