。此外，今天的开关元件没有非常高的运行速度，不幸的是，在转换过程中不可避免地会损失一些能量（幸运的是，随着新电子元件的出现，这种能量越来越少）。让我们看看如何使用“LTspice”仿真程序来确定 SiC MOSFET 的开关损耗率。
2022-08-05 08:05
本篇是读懂MOSFET datasheet系列最终篇，主要介绍MOSFET动态性能相关的参数。 主要包括Qg、MOSFET的电容、开关时间等。
2023-04-26 17:52
最近分析了Mosfet的寄生参数，其中Eoss是一个非常重要的参数。
2023-03-08 15:03
LTspice的一个功能是能够对电路中的噪声进行建模。本文介绍了用LTSPICE进行基本电路仿真之外的噪声分析和结果显示的基本知识。
2023-10-02 16:33
碳化硅（SiC）MOSFET作为宽禁带半导体材料（WBG）的一种，具有许多优异的参数特性，这些特性使其在高压、高速、高温等应用中表现出色。本文将详细探讨SiC MOSFET的主要
2025-02-02 13:48
大多数电路设计的关键在于能否以最快速度了解电路，它是否正确，以及有何局限性，从而能在进入实验室制作原型和测试之前优化设计并选择元器件。LTspice是ADI公司的高性能电路仿真程序，支持绘图、探查
2023-07-20 12:23
功率Mosfet参数介绍 第一部分 最大额定参数最大额定参数，所有数值取得条件(Ta=25℃)
2009-11-21 11:39
MOSFET特性参数说明
2022-08-22 09:54
这里是以LTspice为例看下如何进行噪声仿真，以及相关要点。因为LTspice非常容易上手，最重要的，它是免费软件，所以用它进行电路仿真比较常见。
2023-11-01 11:24
《活学活用 LTspice 进行电路设计》系列专辑由多篇文章构成，涵盖了 ADI LTspice 的软件下载、入门指南、以及具体的设计仿真攻略等，引领大家在 LTspice 电路仿真设计中从入门到精通。本文为引言篇，
2022-08-24 09:30
