LTC4352描述LTC®4352采用一个外部N沟道MOSFET产生一个近理想的二极管。它可替代一个高功率肖特基二极管和相关联的散热器，从而节省了
2010-12-08 13:54
凌力尔特公司推出0V至18V理想二极管控制器LTC4352加利福尼亚州米尔皮塔斯 (MILPITAS, CA) – 2008 年 7 月 31 日 – 凌力尔特公司(Linear Technology Corporation) 推出 0V 至
2008-08-04 16:50
Analog Devices Inc. EVAL-ADA4352-2EBZ评估板设计用于评估ADA4352-2，这是一款紧凑型、单片、双通道、精密、可编程增益跨阻抗放大器 (PGTIA)。该评估板
2025-05-29 13:53
ADA4352-2 是一款紧凑的单片双通道 精密、可编程增益跨阻放大器 （PGTIA）。ADA4352-2 是一个突破 精确测量 A 以上小电流的解决方案 动态范围宽。ADA4352-2 的精度 在
2025-05-09 15:04
近日，Littelfuse公司发布了IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器，这款新型驱动器在业界引起了广泛关注。
2024-05-23 11:34
：LFUS）是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司隆重宣布推出IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器。 这款创新的驱动器专门设计用于驱动
2024-05-23 11:23
Littelfuse宣布推出IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器。这款创新的驱动器专门设计用于驱动工业应用中的碳化硅（SiC）MOSFET和高功率绝缘栅双极晶体管（IGBT）。
2024-05-23 11:26
Analog Devices EVAL-LTC7892-BZ评估板设计用于演示LTC7892 GaN FET控制器。LTC7892优化采用100V GaN FET，在500kHz时的工作输入电压范围
2025-05-27 14:36
Analog Devices Inc. EVAL-LTC7890-BZ 评估板是一款双输出同步降压转换器，可驱动N沟道硅 (Si) 场效应晶体管 (FET)。EVAL-LTC7890-BZ评估板
2025-06-06 10:57
Analog Devices Inc. LTC7806演示板（DC2951A）是一款用于LTC7806两相同步升压控制器的评估平台。 LTC7806设计用于异相驱动两个N沟道功率MOSFET级
2025-06-07 13:38
