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型号：<b class='flag-s-7'>W631GU</b>6MB-12 品牌：

1.概述W631GU6MB是1G位DDR3L SDRAM，组织为8388608个字 8个银行 16位。该器件实现了高达2133 MT/s（DDR3L-2133）的高速传输速率，适用于各种应用。该

2024-03-28 15:01 深圳市宏源世纪科技有限公司 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>W632GU</b>6NB-12 品牌：

1.概述W632GU6NB是一个2G位DDR3L SDRAM，组织为16777216个字 8个银行 16位。该设备实现了高达2133 MT/s（DDR3L-2133）的高速传输速率，适用于各种

2024-03-28 14:47 深圳市宏源世纪科技有限公司 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>W632GU</b>6NB-11 品牌：

1.概述W632GU6NB是一个2G位DDR3L SDRAM，组织为16777216个字 8个银行 16位。该设备实现了高达2133 MT/s（DDR3L-2133）的高速传输速率，适用于各种

2024-03-28 11:02 深圳市宏源世纪科技有限公司 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>W631GU</b>6NB-11 品牌：

1.概述W631GU6NB是1G位DDR3L SDRAM，组织为8388608个字 8个银行 16位。该器件实现了高达2133 MT/s（DDR3L-2133）的高速传输速率，适用于各种应用。该

2024-03-27 18:25 深圳市宏源世纪科技有限公司 企业号

型号：MP6535<b class='flag-s-7'>GU</b>-P 品牌：

N 通道功率 MOSFET 组成的 3 个半桥。它内置 500mA 降压调节器，可为微控制器或其他电路生成本地电源。 型号特点 5V 至 5

2024-06-07 11:34 立年电子科技 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>W634GU</b>6QB-11 品牌：

1.概述W634GU6QB是一个4G位DDR3L SDRAM，组织为33554432个字 8个银行 16位。该器件实现了高达2133 MT/s（DDR3L-2133）的高速传输速率，适用于各种

2024-03-27 15:05 深圳市宏源世纪科技有限公司 企业号

型号：AT25512<b class='flag-s-7'>N-SH</b>-T 品牌：

AT25512N-SH-T：高效存储解决方案在当今电子产品日益复杂的环境中，可靠和高效的数据存储解决方案显得尤为重要。Microchip（美国微芯）推出的AT25512N-SH-T是一款高性能

2024-11-05 10:19 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号

型号： SIMCOION P-<b class='flag-s-7'>Sh-N</b> 品牌：

 SIMCOION P-Sh-N离子棒+UL认证；+放电针电容耦合，安全无电击；+工作距离600mm；+双排放电针；+输出7KV；+应用类型：工业；P-Sh-N型离子棒，是EP-Sh-N

2022-10-12 14:13 华朋联创 企业号

型号：P-<b class='flag-s-7'>Sh-N</b> 品牌：

简介Simco-Ion P-SH-N离子棒是EP-Sh-N的一个升级版本，具有较高的的除静电效能，和超远的作用距离，配合Simco Ion专用的空气管和风刀系统，能够起到高效的除静电除尘作用和增大

2021-12-10 15:25 深圳市荣盛源科技有限公司 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>SH8J</b>62TB-VB 品牌：微碧

VBsemi SH8J62TB-VB是一款具有卓越性能的双P沟道功率场效应管，具备以下性能参数：**技术规格:**- 额定电压：-30V- 额定电流：-7A- 导通电阻：35mΩ @ VGS=10V

2024-04-03 16:36 微碧半导体VBsemi 企业号