监视电压)。LTC2903-1 具有一个漏极开路 RST 输出和一个弱的内部上拉电流源。内部电源电压 (VCC) 由 V1、V2 输入中数值较大
2023-04-18 15:57 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
mV 输入共模电压范围包括地 内部差分输入电压范围等于电源电压 低输出饱和 −40°C至125°C操作范围 ESD额定值:HBM 4 kV,CDM 2 k
2024-07-09 11:59 深圳市宏源世纪科技有限公司 企业号
### IRF2903ZSTRRP-VB 产品简介IRF2903ZSTRRP-VB 是一款高效能的 N-Channel MOSFET,封装形式为 TO263。采用先进的 Trench 技术,这款
2025-09-03 17:00 微碧半导体VBsemi 企业号
### AUF2903Z-VB 产品简介AUF2903Z-VB 是一款高性能单 N-Channel MOSFET,封装在 TO220 封装中。该 MOSFET 采用 Trench 技术,能够承受高达
2025-01-02 15:34 微碧半导体VBsemi 企业号
mV 输入共模电压范围包括地 内部差分输入电压范围等于电源电压 低输出饱和 −40°C至125°C操作范围 ESD额定值:HBM 4 kV,CDM 2 k
2024-07-09 13:46 深圳市宏源世纪科技有限公司 企业号
### 产品简介**IRF2903ZSTRLP-VB** 是一款高性能单极N沟道MOSFET,封装形式为TO263,采用Trench技术。该MOSFET具备极低的导通电阻和高电流处理能力,特别适合
2025-09-03 16:57 微碧半导体VBsemi 企业号