HMC347B 是一款宽频、非反射、砷化镓 (GaAs)、假晶高电子迁移率晶体管 (pHEMT)、单刀双掷 (SPDT)、单片微波集成电路 (MMIC) 芯片。因为采用片内通孔结构，该交换芯片
2024-01-14 21:33 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
ADH347S是一款宽带、非反射式砷化镓(GaAs)，采用裸片解决方案的频率范围为DC至20 GHz，采用LH5封装解决方案的频率范围为DC至14 GHz。该开关提供高隔离度和低插入损耗。由于采用
2022-11-14 14:19 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
### 2SJ347-VB MOSFET 产品简介#### 产品概述2SJ347-VB 是一款适用于低功率应用的 P-Channel MOSFET。采用 SC70-3 封装，利用槽沟技术设计，具有
2024-07-15 14:13 微碧半导体VBsemi 企业号
HMC347B 是一款宽频、非反射、砷化镓 (GaAs)、假晶高电子迁移率晶体管 (pHEMT)、单刀双掷 (SPDT)、单片微波集成电路 (MMIC) 芯片。因为采用片内通孔结构，该交换芯片
2022-11-14 16:10 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
HMC347A 是一款宽带、非反射、砷化镓 (GaAs)、假晶高电子迁移率晶体管 (pHEMT)、单刀双掷 (SPDT)、单片微波集成电路 (MMIC) 芯片。该开关具有
2022-11-14 17:10 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
### 95N4LF3-VB MOSFET#### 一、产品简介95N4LF3-VB 是一款高性能单N沟道MOSFET，采用先进的Trench技术制造。其封装为TO263，具有优异的热特性和较高
2024-11-25 15:16 微碧半导体VBsemi 企业号
VBsemi的MOSFET产品190N55LF3-VB是一款单通道N沟道器件，具有60V的漏极-源极电压（VDS），20V的栅极-源极电压（VGS，±V），和3V的阈值电压（Vth）。该器件采用
2024-07-08 16:54 微碧半导体VBsemi 企业号
09N20H-LF-VB是一款TO252封装的单路N沟道MOSFET。它的主要特性包括200V的漏极-源极电压（VDS），20V的栅极-源极电压（VGS，正负值），3V的阈值电压（Vth），在VGS
2024-07-04 14:29 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、产品简介**产品型号：44N4LF6-VB**44N4LF6-VB 是一款单N沟道MOSFET，采用TO252封装。具有40V的漏源电压（VDS）、20V的栅源电压（VGS）、2.5V
2024-11-08 16:29 微碧半导体VBsemi 企业号
