### K6A50D-VB MOSFET 产品简介K6A50D-VB 是一款高性能的单N沟道功率MOSFET,采用 TO220F 封装,专为高电压和中等电流应用而设计。该器件的漏源极电压 (VDS
2025-09-12 16:52 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介5N50K-VB是一款单N沟道MOSFET,采用TO220F封装,适合高压应用环境。其特点包括高耐压能力、稳定的电性能和适中的导通电阻,适用于需要可靠功率控制和电源开关的应用场
2024-11-14 15:26 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、K5A50D-VB MOSFET 产品简介K5A50D-VB 是一款高压单 N 沟道 MOSFET,采用 TO220F 封装,专为高压应用设计,具有650V的漏源电压(VDS)。该器件
2025-09-12 16:03 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、K4A50D-VB MOSFET 产品简介K4A50D-VB 是一款高压单 N 沟道 MOSFET,采用 TO220F 封装,设计用于需要650V电压的应用。该 MOSFET 具有最大栅
2025-09-12 15:22 微碧半导体VBsemi 企业号
### K6A50DA4-VB 产品简介K6A50DA4-VB 是一款高性能的单N通道MOSFET,采用TO220F封装,专为高压应用而设计。该器件的漏极-源极耐压(VDS)达到650V,能够适应
2025-09-12 16:48 微碧半导体VBsemi 企业号
**产品简介** K7A50D-VB 是一款高压单 N 沟道 MOSFET,采用 TO220F 封装设计。该器件的漏极-源极电压(VDS)高达 650V,使其特别适用于高压应用。其栅极
2025-09-12 17:24 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介 - K8A50DA-VB MOSFETK8A50DA-VB 是一款采用 **TO220F 封装** 的 **单一N沟道MOSFET**,专为高电压和中等电流应用设计。该MOSFET
2025-09-12 17:53 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、6N62K3-VB TO220F产品简介**6N62K3-VB TO220F**是一款高性能的单N沟道功率MOSFET,采用了TO
2024-11-18 15:58 微碧半导体VBsemi 企业号