N9H20K51N系列采用ARM926EJ-S核心，执行速度高达200 MHz，堆叠32 MB SDRAM记忆体於同一封裝，提供128-pin，大幅减少PCB尺寸和降低电磁干扰 (EMI)。丰富
2020-02-06 09:13
N9H20K31N系列采用ARM926EJ-S核心，执行速度高达200 MHz，堆叠8 MB SDRAM记忆体於同一封裝，提供128-pin，大幅减少PCB尺寸和降低电磁干扰 (EMI)。丰富的周边
2020-02-06 09:11
N9H26K51N系列采用ARM926EJ-S核心，执行速度高达264 MHz，堆叠或32 MB SDRAM记忆体于同一封装，提供128-pin，大幅减少PCB尺寸和降低电磁干扰 (EMI)。丰富
2020-02-06 09:12
N9H20K11N系列采用ARM926EJ-S核心，执行速度高达200 MHz，堆叠2 MB SDRAM记忆体於同一封裝，提供128-pin，大幅减少PCB尺寸和降低电磁干扰 (EMI)。丰富的周边
2020-02-06 09:20
本文主要介绍了lm311中文资料汇总（lm311引脚图功能_内部结构参数及应用电路）。lm311是一款高灵活性的电压比较器，能工作于5V-30V单个电源或正负15V分离
2018-03-30 17:10
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2021-12-23 09:56
开关量采集模块ZSLR311的LoRa网关： ZSLR311 LoRa RTU设备结合众山2G/3G/4G/NB-IoT DTU设备，还可以组建LoRa网关，实现设备之间的本地组网和远程监控，2G
2020-05-09 14:55
STx6N62K3/STx3N62K3利用SuperMESH3技术降低导通电阻,提高节能灯镇流器等照明应用的工作能效 功率半导体世界领先厂商意法半导体进一
2008-09-25 08:03
白光LED的特性参数 从目前的LED产品的机理和结构来看,以下几个方面是用来衡量LED优劣的特性参数。 (1)白光L
2009-11-19 11:15
LED的特性与电参数 1．极限参数的意义 （1）允许功耗Pm：允许加于LED两端正向直流电压与流过它的电流之积的最大值。超过此值，
2009-05-09 10:54
