的功耗分成两部分，开关损耗和导通损耗。要注意，大多数场合特别是LED市电驱动应用，开关损害要远大于导通损耗。开关损耗与功率管的cgd和cgs以及芯片的驱动能力和工作频率有关，所以要解决MOS
2018-12-29 14:51
管的消耗，简单的计算公式为I=cvf（考虑充电的电阻效益，实际I=2cvf，其中c为功率MOS管的cgs电容，v为功率管导通时的gate电压，所以为了降低芯片的功耗，必
2017-12-11 13:48
1、芯片发热 主要针对内置电源调制器的高压驱动芯片。假如芯片消耗的电流为2mA，300V的电压加在芯片上面，芯片的功耗为0.6W，当然会引起芯片的发热。驱动芯片的最大电流来自于驱动功率MOS管
2018-12-07 11:57
MOS管相比于三极管，开关速度快，导通电压低，电压驱动简单，所以越来越受工程师的喜欢，然而，若不当设计，哪怕是小功率MOS管
2019-05-21 06:44
等效模型MOS管相比于三极管，开关速度快，导通电压低，电压驱动简单，所以越来越受工程师的喜欢，然而，若不当设计，哪怕是小功率MOS
2022-01-03 06:55
今天小编给大家带来的是步进驱动器MOS管损坏了我们应该怎么去解决，这个mos管在步进驱动器上也还是较重要的，一旦这个
2017-03-31 14:15
揭秘mos管电路逻辑及mos管参数 1.开启电压VT 开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；·标准的N沟道
2018-11-20 14:06
件的搭配，本文就针对笔者在实际工作中的关于 MOS 管（三极管）的应用做一些整理。本文所介绍的功能，使用三极管也是可以的，但是实际应用中，多使用
2021-11-11 08:02
MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。MOS管是压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性，不会发生像三极管
2023-03-12 05:16
1.开启电压VT 开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；·标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V；·通过工艺上的改进，可以使MOS
2018-11-20 14:10
