LED的波长、亮度、正向电压等主要光电参数基本上取决于外延片材料，因此，外延片材料作为LED工作原理中的核心部分，了解LED
2018-11-01 16:41
外延层是在晶圆的基础上，经过外延工艺生长出特定单晶薄膜，衬底晶圆和外延薄膜合称外延片。其中在导电型碳化硅衬底上生长碳化硅
2023-05-31 09:27
外延工艺的介绍，单晶和多晶以及外延生长的方法介绍。
2023-11-30 18:18
近几年，“LED”一词热得烫手，国内LED技术与市场发展迅速，取得了外延片、芯片核心技术的突破性进展。那么，关于LED外延
2019-11-25 14:06
分子束外延(Molecular beam epitaxy，MBE)是一种在超高真空状态下，进行材料外延技术，下图为分子束外延的核心组成，包括受热的衬底和释放到衬底上的多种元素的分子束。
2024-01-15 18:12
本文研究了外延沉积前原位工艺清洗的效果，该过程包括使用溶解的臭氧来去除晶片表面的有机物，此外，该过程是在原位进行的，没有像传统上那样将晶圆从工艺转移到冲洗罐。结果表明，与不使用溶解臭氧作为表面处理
2022-04-12 13:25
通过图形化硅氧化或氮化硅掩蔽薄膜生长，可以在掩蔽膜和硅暴露的位置生长外延层。这个过程称为选择性外延生长(SEG)。
2022-09-30 15:00
实验名称：基于单端接触原理的LED外延片无损检测实验内容：基于单注入模式，使用新型检测系统获取LED外延片的电学参数与光学参数。研究方向：
2024-10-25 10:29 Aigtek安泰电子 企业号
作为半导体单晶材料制成的晶圆片，它既可以直接进入晶圆制造流程，用于生产半导体器件；也可通过外延工艺加工，产出外延片。
2024-04-24 12:26
LED 芯片的制造工艺流程：外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2 腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P
2016-08-05 17:45
