目前在LED制程中，蓝宝石基板虽然受到来自Si与GaN基板的挑战，但是考虑到成本与良率，蓝宝石在近两年内仍然具有优势.由于蓝宝石硬度仅次于钻石，因此对它进行减薄与表面平坦化加
2012-10-18 09:58
在封装前，通常要减薄晶圆，减薄晶圆主要有四种主要方法：机械磨削、化学机械研磨、湿法蚀刻和等离子体干法化学蚀刻。
2024-01-26 09:59
，满足晶圆的翘曲度的要求。但封装的时候则是薄一点更好，所以要处理到100~200um左右的厚度，就要用到减薄工艺。 满足封装要求 降低封装厚度 在电子设备不断向小型化、轻薄化发展的趋势下，对集成电路
2024-12-24 17:58
本文提出了一种用于实现贯穿芯片互连的包含沟槽和空腔的微机械晶片的减薄方法。通过研磨和抛光成功地使晶圆变薄，直至达到之前通过深度反应离子蚀刻蚀刻的空腔。研究了腐蚀结构损坏的可能原因。研究了空腔中颗粒
2022-03-29 14:56
激光器都是在外延的基础上做出芯片的结构设计，外延厚度2寸的在350um，4寸的在460um左右，到芯片后期，都需要对晶圆进行减薄，厚度有做到80um的，也有120um的
2022-07-15 12:01
“减薄”，也叫 Back Grinding（BG），是将晶圆（Wafer）背面研磨至目标厚度的工艺步骤。这个过程通常发生在芯片完成前端电路制造、被切割前（即晶圆仍然整体时），是连接
2025-05-30 10:38
碳化硅（SiC）作为一种高性能半导体材料，因其出色的热稳定性、高硬度和高电子迁移率，在电力电子、微电子、光电子等领域得到了广泛应用。在SiC器件的制造过程中，碳化硅片的减薄是一个重要环节，它可以提高
2025-01-06 14:51 广州万智光学技术有限公司 企业号
减薄晶片有四种主要方法，(1)机械研磨，(2)化学机械平面化，(3)湿法蚀刻(4)等离子体干法化学蚀刻(ADP DCE)。四种晶片减薄技术由两组组成：研磨和蚀刻。为了研磨晶片，将砂轮和水或化学浆液结合起来与晶片反应并
2023-05-09 10:20
近日，北京亦庄官方传来喜讯，北京中电科公司成功研发并顺利交付了多台国内首创的WG-1220自动减薄机。这一里程碑式的事件标志着我国在自动减薄机领域取得了重要突破。
2024-05-29 11:26
