在封装前，通常要减薄晶圆，减薄晶圆主要有四种主要方法：机械磨削、化学机械研磨、湿法蚀刻和等离子体干法化学蚀刻。
2024-01-26 09:59
本文提出了一种用于实现贯穿芯片互连的包含沟槽和空腔的微机械晶片的减薄方法。通过研磨和抛光成功地使晶圆变薄，直至达到之前通过深度反应离子蚀刻蚀刻的空腔。研究了腐蚀结构损坏的可能原因。研究了空腔中颗粒
2022-03-29 14:56
激光器都是在外延的基础上做出芯片的结构设计，外延厚度2寸的在350um，4寸的在460um左右，到芯片后期，都需要对晶圆进行减薄，厚度有做到80um的，也有120um的
2022-07-15 12:01
碳化硅（SiC）作为一种高性能半导体材料，因其出色的热稳定性、高硬度和高电子迁移率，在电力电子、微电子、光电子等领域得到了广泛应用。在SiC器件的制造过程中，碳化硅片的减薄是一个重要环节，它可以提高
2025-01-06 14:51 广州万智光学技术有限公司 企业号
减薄晶片有四种主要方法，(1)机械研磨，(2)化学机械平面化，(3)湿法蚀刻(4)等离子体干法化学蚀刻(ADP DCE)。四种晶片减薄技术由两组组成：研磨和蚀刻。为了研磨晶片，将砂轮和水或化学浆液结合起来与晶片反应并
2023-05-09 10:20
目前在LED制程中，蓝宝石基板虽然受到来自Si与GaN基板的挑战，但是考虑到成本与良率，蓝宝石在近几年来具有一定的优势，因此对它进行减薄与表面平坦化加工非常困难，在逐渐的摸索中，业界形成了一套大致相同的对于蓝宝石基板
2018-08-09 09:18
LED具有体积小，耗电量低、长寿命环保等优点，在实际生产研发过程中，需要通过寿命试验对LED芯片的可靠性水平进行评价，并通过质量反馈来提高LED
2020-01-23 17:33
英寸晶圆厚度约为670微米，8英寸晶圆厚度约为725微米，12英寸晶圆厚度约为775微米。尽管芯片功能层的制备仅涉及晶圆表面几微米范围，但完整厚度的晶圆更有利于保障复杂工艺的顺利进行。直至芯片前制程完成后，晶圆才会进入封装环节进行
2025-05-09 13:55
目前，业内普遍采用减薄铜工艺使面铜厚度减少来实现精细线路的制作。实际生产中电镀铜减铜后的板面会出现针孔，从而使精细电路存在导损、开路等品质缺陷。这给精细线路带来了很大的困惑。文章通过模型建立以及实验验证，探究了
2019-01-15 17:02
本视频主要详细介绍了led死灯的原因，分别是芯片抗静电能力差、芯片外延缺陷、芯片化学物残余、芯片的受损、镀银层过
2019-05-06 17:15
