本文介绍了在芯片铜互连工艺中需要阻挡层的原因以及关键工艺流程。
2025-05-03 12:56
什么是光刻？光刻是将掩模上的几何形状转移到硅片表面的过程。光刻工艺中涉及的步骤是晶圆清洗；阻挡层的形成；光刻胶应用；软烤；掩模对准；曝光和显影；和硬烤。
2022-03-15 11:38
本内容介绍了具有带有阻挡层的半导体衬底的集成电路
2011-11-22 17:46
尺寸很小时，RC 延迟的大小深刻影响着芯片的性能（R 代表了互连线电阻，C 代表了介质层分隔的金属连线之间的寄生电容）。该延迟即时间，它应该足够的小且能够准确地传递信号。 Liner：衬垫层，有助于金属粘合；Barrier：阻挡层，
2024-12-05 11:45
SMT仅仅是用来提高NMOS 的速度，当工艺技术发展到45nm 以下时，半导体业界迫切需要另一种表面薄膜层应力技术来提升PMOS 的速度。在SMT技术的基础上开发出的接触刻蚀阻挡层应变技术
2024-07-30 09:42
电动自行车用铅酸蓄电池长期工作在深循环充放电环境中，如果板栅合金与活性物质的结合做得不够好，每次循环活性物质的膨胀收缩后，会使板栅与活性物质的结合面在浮充电的时候形成一种腐蚀层。 这种腐蚀层随着
2021-05-11 16:13
ITO玻璃技术之SiO2阻挡膜层规格 SiO2 阻挡膜层规格
2008-10-25 16:04
什么具有单向导电性?答：不是线性的，加上正向电压时，P区的空穴与N区的电子在正向电压所建立的电场下相互吸引产生复合现象，导致阻挡层变薄，正向电流随电压的增长按指数规律增长，宏观上呈现导通状态，而加上
2010-07-10 16:12
通常是Al，Ti或Cr等金属，主要是为了与Si片背面有良好的结合力，并且降低欧姆接触的阻值。如果Ti与硅的结合力不好，会造成金属层剥离与阻抗上升等问题。 阻挡层通常是纯Ni或NiV合金，作用是防止金属的扩散。 防氧化
2025-02-10 12:31
不是线性的，加上正向电压时，P区的空穴与N区的电子在正向电压所建立的电场下相互吸引产生复合现象，导致阻挡层变薄，正向电流随电压的增长按指数规律增长，宏观上呈现导通状态，而加上反向电压时，情况与前述正好相反，阻挡层变厚
2023-02-17 09:34
