l. PN结的形成(1)载流子的扩散运动用掺杂工艺在一块完整半导体中，一部分形成P型半导体，另一部分形成N 型半导体。那么，在两种杂质型半导体交界处两侧，P区的空穴（多子）浓度远 大于N区的空穴
2017-07-28 10:12
pn结的正向压降。如图2（b）所示。对于许多功率半导体器件，由于它在导通工作时都可近似地等效为一个正偏的pin结，因此作为耐压层或者漂移区的i层的厚度就应该与载流子的扩
2013-05-20 10:00
是我们所说的pn结。p型和n型半导体接触后，在接触面，n型区的多子电子向p型区扩散，同时p型区的多子空穴也向n型区扩散，叫做载流子的扩散。这时在接触面的n型区留下了正电荷，在p型区留下了负电荷。两者正好
2016-11-29 14:52
第一章PN结伏安特性曲线当加在二极管两端的电压达到0.7V左右时，二极管正向导通；当反向电压超过U（BR）一定值后就会出现齐纳击穿，当反向电压继续增大就会出现雪崩击穿。温度...
2021-11-15 06:43
重要的地位。▲ Boltzmann常数01实验及数据分析 1.基于2N3904的Boltzmann常数在PN结两边，存在一个由电子-空穴扩散而形成的耗散区，以及伴随着的接触电位区，只有热量动能超过的电子
2020-07-13 07:50
PN结电容分为两部分，势垒电容和扩散电容。 PN结交界处存在势垒区。结两端电压变化引起积累在此区域的电荷数量的改变，从而显现电容效应。 当所加的正向电压升高时，多子(N区的电子、P区的空穴
2021-06-01 07:55
羿网通系列测试仪具备网络测试仪模式、网络损伤仪模式、测试仪+损伤仪融合模式、冗余链路测试仪模式等多种功能模式，各功能模式之间可灵活、快速地进行切换。使用一台设备即可完成网络测试仪、网络损伤仪、冗余链路测试仪等多台测
2022-05-21 09:37
。1、【判断题】单结晶体管有一个PN结，两个基极，因此称为单结三极管。（×）2、【判断题】角频率ω和频率都是反映交流电变化快慢的物理量，ω越大，交流电变化得越慢。（×...
2021-09-17 07:52
传感器应运而生。所谓集成温敏传感器就是将PN结温敏传感器与运放连同外围元件集成在一块芯片上，然后封装而成。 图2为使用集成温敏传感器LM334将温度转换成频率的转换电路(便于计算机识别处理)。LM334
2021-05-21 07:30
耐压5V IO 在高电平驱动LED时弱亮说明耐压5V I/O口在上电期间及NRST为low时，导致高电平驱动方式时的LED弱亮
2023-10-19 08:00
