ADM1186-1与ADM1186-2是集成的四通道电压监控器与电源时序控制器。采用2.7 V～5.5 V单电源供电。4个高精密比较器监控4个电压轨，这4个比较器共用一个0.6 V基准电压源，最坏
2023-04-03 09:58 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
LT®1186F 是一款固定频率、电流模式开关稳压器，可提供用于冷阴极荧光灯 (CCFL) 的控制功能。该 IC 包含一个高效率的高电流开关、一个振荡器、输出驱动逻辑电路、控制电路和一个微功率 8
2023-06-12 14:59 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
以下是VBsemi公司的MOSFET产品05N03LA-VB的详细信息：1. 产品简介： 05N03LA-VB是一款单N沟道（Single-N-Channe
2024-07-02 17:44 微碧半导体VBsemi 企业号
LA7 可级联的限幅放大器LA7 限幅放大器采用分立式混合设计，采用薄膜制造工艺以实现精确的性能和高可靠性。此设计在输入端使用肖特基二极管限幅器电路，在输出端使用单级双极晶体管反馈放大器
2023-03-22 17:45 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号
5962-8759101LA：高可靠性模数转换器的优选在现代电子设计中，模数转换器（ADC）是将模拟信号转换为数字信号的重要组件。5962-8759101LA是由Analog Devices公司推出
2024-03-02 21:56 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
**产品简介：**VBsemi的05N03LA-VB是一款单N沟道功率MOSFET，采用槽沟技术，适用于各种应用。该器件具有低导通电阻、高漏极电流和低门极电压等特点，适用于要求高效率和低功率损耗
2024-07-02 17:34 微碧半导体VBsemi 企业号
10N03LA-VB是一款单N沟道MOSFET，具有以下主要参数：- VDS（漏极-源极电压）：30V- VGS（门极-源极电压）：20V（±）- Vth（门极阈值电压）：1.7V- RDS
2024-07-04 16:14 微碧半导体VBsemi 企业号
LA17 可级联的限幅放大器LA17 限幅放大器采用分立式混合设计，采用薄膜制造工艺以实现精确的性能和高可靠性。此设计在输入端使用肖特基二极管限幅器电路，在输出端使用单级双极晶体管反馈
2023-03-22 16:58 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号
### 13N03LA-VB MOSFET 产品简介VBsemi的13N03LA-VB是一款单N沟道功率MOSFET，采用TO252封装技术。这种MOSFET在30V的漏源电压（VDS）和20V
2024-07-05 17:51 微碧半导体VBsemi 企业号
### 14N03LA-VB TO220 产品简介**产品概述**：14N03LA-VB 是一款单N沟道功率MOSFET，采用Trench技术制造，适用于低压范围内的功率控制应用。其封装为TO220
2024-07-06 15:45 微碧半导体VBsemi 企业号
